Vishay/Siliconix SiSS52DN 및 SiSS54DN N-채널 TrenchFET Gen V 전력 MOSFET를 사용하면 매우 낮은 RDS(on) 로 더 높은 전력 밀도를 구현할 수 있습니다. 이 전력 MOSFET는 30V VDS및 매우 낮은 RDS x Qg FOM(성능 지수)을 제공합니다. SiSS52DN N-채널 MOSFET는 일반적으로 162AID 및 19.9nC Qg를 제공합니다. 반면, SiSS54DN N-채널 MOSFET은 일반적으로 185.6A ID 및 21nC Qg 를 제공합니다.이 100% Rg 및 UIS(미클램핑 유도 스위칭) 테스트를 거친 MOSFET는 단일 구성과 함께 열 성능이 향상된 소형 PowerPAK® 1212-8S 패키지로 제공됩니다. 일반적으로 DC/DC 변환기, PoL(Point-of-부하), 동기식 정류, 전력 및 로드 스위치 및 배터리 관리에 사용됩니다.