CoolGaN™ 600V GIT HEMT

Infineon Technologies CoolGaN™ 600V GIT(게이트 주입 기술) HEMT(고전자 이동도 트랜지스터)는 최소 스위칭 손실로 빠른 켜기 및 끄기 속도를 제공합니다. 이 GaN 향상 모드 전력 트랜지스터는 ThinPAK 5x6 표면 실장 패키지로 제공되며 히트싱크가 없는 소형 장치가 필요한 애플리케이션에 이상적입니다. 5mm × 6mm의 작은 풋프린트와 1mm의 낮은 프로파일 높이로, 인피니언 테크놀로지스 CoolGaN™ 600V GIT HEMT는 높은 전력 밀도 구현에 최적입니다.

결과: 3
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES
데이터시트
4,511재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 13 A 170 mOhms - 10 V 1.6 V 2.6 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES
데이터시트
4,825재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 9.2 A 240 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES
데이터시트
4,720재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 7.2 A 330 mOhms - 10 V 1.6 V 1.4 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement