XBee™ 2 및 3 IGBT 모듈

인피니언 테크놀로지스 (Infineon Technologies )의 XHP™ 2 및 3 IGBT 모듈은 1.7kV에서 6.5kV에 이르는 고전력 애플리케이션을 위해 설계되었습니다. 인피니언(Infineon) 모듈은 철도 차량 (Traction), 상용·농업용 차량 (CAV), 그리고 중전압 드라이브(Medium-voltage drives) 와 같이 높은 신뢰성을 요구하는 까다로운 용도에 최적화되어 있습니다. 이 장치는 확장 가능한 설계, 최고의 노치 신뢰성 및 최고의 전력 밀도를 제공합니다.

결과: 8
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 제품
구성
콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO
콜렉터-이미터 포화 전압
25 C의 지속적인 컬렉터 전류
게이트-이미터 누설 전류
Pd - 전력 발산
패키지/케이스
최저 작동온도
최고 작동온도
포장
Infineon Technologies IGBT 모듈 XHP2 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC
데이터시트
6재고 상태
최소: 1
배수: 1

Module Dual 2.3 kV 1.85 V 400 nA 2.4 MW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 XHP2 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC / pre-applied thermalinterface material
데이터시트
6재고 상태
최소: 1
배수: 1

Module Dual 2.3 kV 1.85 V 400 nA 2.4 MW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 1700 V, 1200 A dual IGBT module
데이터시트
24재고 상태
최소: 1
배수: 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.2 kA 400 nA 1.2 MW Module - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 1700 V, 1800 A dual IGBT module
데이터시트
19재고 상태
최소: 1
배수: 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.8 kA 400 nA 1.8 MW Module Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 1700 V, 1800 A dual IGBT module
데이터시트
11재고 상태
최소: 1
배수: 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.8 kA 400 nA 1.8 MW Module Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 XHP LV
데이터시트
3예상 2026-08-27
최소: 1
배수: 1

IGBT Module Module 1.7 kV 1.68 V 1.4 kA 200 nA 1.4 MW + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 XHP LV
데이터시트
3예상 2026-08-27
최소: 1
배수: 1

IGBT Module Module 1.7 kV 1.65 V 2 kA 20 mW + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 1700 V, 1200 A dual IGBT module
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 4
배수: 4

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.07 kA 400 nA 1.2 MW Module - 40 C + 175 C Tray