650V IH 시리즈 IGBT

STMicroelectronics 650V IH 시리즈 IGBT는 유도 가열 시스템 및 소프트 스위칭 애플리케이션을 위한 높은 효율을 제공합니다. 이 IGBT는 현재 유도 가열 애플리케이션에 사용되는 HB 시리즈를 초과하는 STPOWER™ 제품군에 속합니다. 650V IH 시리즈는 매우 낮은 턴오프 에너지와 더불어 낮은 VCE(sat) 덕분에 최종 애플리케이션에서 효율성 향상을 보장합니다. 40A 및 50A 장치는 이미 TO-247 Long Leads 패키지로 제공되고, 20A 및 30A 장치는 개발 중입니다.

결과: 10
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 패키지/케이스 장착 스타일 구성 콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO 콜렉터-이미터 포화 전압 최대 게이트 이미터 전압 25 C의 지속적인 컬렉터 전류 Pd - 전력 발산 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈 자격 포장
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 1350 V, 25 A, soft-switching IH2 series IGBT 518재고 상태
₩7,737.6
₩4,352.4
₩3,572.4
₩3,057.6
최소: 1
배수: 1
Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 1350 V, 35 A, soft-switching IH2 series IGBT 471재고 상태
600예상 2027-05-07
₩8,080.8
₩4,524
₩3,728.4
₩3,213.6
최소: 1
배수: 1
Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, 650 V, 50 A soft switching IH series in a TO-247 lo 703재고 상태
₩8,658
₩5,772
₩4,118.4
₩3,931.2
₩3,478.8
최소: 1
배수: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.5 V - 20 V, 20 V 100 A 300 W - 55 C + 175 C HB2 Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long 834재고 상태
₩5,974.8
₩3,276
₩2,667.6
₩2,433.6
₩2,137.2
최소: 1
배수: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 86 A 272 W - 55 C + 175 C HB2 Tube
STMicroelectronics IGBT Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT 14재고 상태
₩11,044.8
₩7,394.4
₩5,943.6
₩5,272.8
₩4,680
최소: 1
배수: 1
- 20 V, 20 V HB2 AEC-Q100 Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pa 42재고 상태
₩14,851.2
₩9,406.8
₩7,971.6
₩6,926.4
최소: 1
배수: 1
Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 145 A 441 W - 55 C + 150 C HB2 Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 20 A, high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long 493재고 상태
₩5,194.8
₩2,823.6
₩2,293.2
₩1,903.2
₩1,762.8
최소: 1
배수: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 40 A 147 W - 55 C + 175 C HB2 Tube

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long leads
600예상 2027-01-08
₩9,453.6
₩5,319.6
₩4,414.8
₩3,744
₩3,650.4
최소: 1
배수: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C HB2 Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 40 A, soft-switching IH series IGBT in a TO-247 lo 비재고 리드 타임 22 주
₩8,049.6
₩5,272.8
₩3,931.2
₩3,073.2
최소: 1
배수: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.5 V - 20 V, 20 V 80 A 238 W - 55 C + 175 C STGWA40IH65DF Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 20 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long lead 비재고 리드 타임 14 주
₩2,511.6
₩2,324.4
₩2,230.8
₩2,184
최소: 600
배수: 600
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 40 A 166 W - 55 C + 175 C HB2 Tube