CoolSiC™ 자동차용 750V G2 MOSFET

Infineon Technologies CoolSiC™ 자동차용 750V G2 MOSFET은 트랙션 인버터, 보드 내장형 충전기(OBC) 및 고전압 DC/DC 변환기와 같은 전기차(EV) 애플리케이션의 까다로운 요구 사항을 충족하도록 설계되었습니다. 이 탄화 규소(SiC) MOSFET은 탁월한 효율, 전력 밀도 및 열 성능을 제공하여 차세대 E- 모빌리티 시스템을 가능하게 합니다. 750V의 정격 전압과 2세대 CoolSiC™ 기술을 적용한 이 장치는 기존 실리콘 솔루션 대비 향상된 스위칭 성능 및 손실 감소를 제공합니다. 이 포트폴리오는 9~78mΩ 범위의 RDS(on) 값을 포함하고 있으므로, 설계자가 전도 및 스위칭 성능을 최적화할 수 있는 유연성을 제공합니다.

결과: 22
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수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
데이터시트
5재고 상태
750주문 중
최소: 1
배수: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 86 A 25 mOhms -7 V to + 23 V 4.5 V 59 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V
데이터시트
5재고 상태
240주문 중
최소: 1
배수: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 60 A 31 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 202 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET Automotive SiC MOSFET 750V G2
데이터시트
13재고 상태
1,000주문 중
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 79 A 40 mOhms - 7 V, + 23 V 4.5 V 59 nC - 55 C + 175 C 282 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
데이터시트
823재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 840 V 198 A 9 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 169 nC - 55 C + 175 C 651 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
데이터시트
843재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 64 A 31 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C +175 C 234 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
데이터시트
911재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 50 A 41 mOhms - 7 V,+ 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
데이터시트
1,942재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 42 A 50 mOhms - 7 V,+ 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 156 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
데이터시트
578재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 34 A 65 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 135 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
데이터시트
764재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 29 A 78 mOhms - 7 V, + 23V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 116 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
데이터시트
1,000재고 상태
750예상 2026-09-17
최소: 1
배수: 1
: 750

SMD/SMT HD-SOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 53 A 65.6 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
데이터시트
772재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 45 A 50 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V
데이터시트
210재고 상태
최소: 1
배수: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 172 A 9 mOhms - 11 V, + 25 V 5.6 V 169 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V
데이터시트
181재고 상태
최소: 1
배수: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 72 A 25 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 59 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
데이터시트
4재고 상태
750주문 중
최소: 1
배수: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 357 A 8 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 328 nC - 55 C + 175 C 1.499 kW Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
데이터시트
63재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 36 A 65 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V
데이터시트
13재고 상태
240주문 중
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 85 A 20 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 74 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V
데이터시트
25재고 상태
최소: 1
배수: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 40 A 50 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 142 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V
데이터시트
255재고 상태
최소: 1
배수: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 28 A 78 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 108 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V
데이터시트
21재고 상태
최소: 1
배수: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 32 A 65 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 122 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
데이터시트
750예상 2026-10-08
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 220 A 9 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 164 nC - 55 C + 175 C 789 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V
데이터시트
240주문 중
최소: 1
배수: 1

Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 116 A 13.8 mOhms - 7 V, + 25 V 5.6 V 106 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V
데이터시트
240주문 중
최소: 1
배수: 1

Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 47 A 41.3 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 164 W Enhancement CoolSiC