TRENCHSTOP™ 5 S5 중간 속도 스위칭 IGBT

Infineon TRENCHSTOP™ 5 S5 중간 속도 스위칭 IGBT는 L5와 H5 사이를 전환하는 연동 장치이자 10kHz와 40kHz 사이를 전환하는 어드레스 애플리케이션입니다. IGBT는 고효율, 시장 출시 시간 단축, 회로 설계 복잡성 감소 및 PCB BOM 비용 최적화를 제공합니다. S5는 설계자가 회로의 복잡성을 증가시키지 않고도 목표를 달성할 수 있도록 지원하는 기능을 구비하고 있습니다.

결과: 17
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
패키지/케이스
장착 스타일
구성
콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO
콜렉터-이미터 포화 전압
최대 게이트 이미터 전압
25 C의 지속적인 컬렉터 전류
Pd - 전력 발산
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
Infineon Technologies IGBT 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
데이터시트
550재고 상태
최소: 1
배수: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 274 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 S5 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
데이터시트
709재고 상태
최소: 1
배수: 1
Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 274 W - 40 C + 175 C Trenchstop 5 S5 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
데이터시트
220재고 상태
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C Trenchstop 5 S5 Tube
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
데이터시트
234재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 274 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
데이터시트
1,306재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 79 A 230 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Reel, Cut Tape

Infineon Technologies IGBT Trenchstop 5 IGBT
데이터시트
3,034재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.42 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube

Infineon Technologies IGBT 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
데이터시트
475재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 S5 Tube
Infineon Technologies IGBT IGBT PRODUCTS
데이터시트
94재고 상태
1,000예상 2026-08-27
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 270 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Reel, Cut Tape

Infineon Technologies IGBT Trenchstop 5 IGBT
데이터시트
247재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 62 A 188 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube

Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
데이터시트
321재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 79 A 230 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube

Infineon Technologies IGBT Trenchstop 5 IGBT
데이터시트
361재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 274 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube

Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
데이터시트
108재고 상태
240예상 2027-07-15
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 274 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
데이터시트
142재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.42 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube

Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
데이터시트
1재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 62 A 188 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube

Infineon Technologies IGBT Trenchstop 5 IGBT
데이터시트
240예상 2026-10-29
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 79 A 230 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube

Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
데이터시트
48예상 2027-01-28
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.42 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC diode
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 H5 Tube