N-채널 MDmesh K6 전력 MOSFET

STMicroelectronics  N-채널 MDmesh K6 전력 MOSFET은 제너 보호와 100% Avalanche 테스트를 거친 제품입니다. 이 전력 MOSFET는 800V의 최소 드레인-소스 전압, ±30V 게이트-소스 전압, -55°C~150°C의 작동 접합부 온도 범위가 특징입니다. MDmesh K6 전력 MOSFET은 5V/ns 피크 다이오드 복구 전압 슬로프, 100μA/µs 피크 다이오드 복구 전류 슬로프, 120V/ns MOSFET dv/dt 견고성이 특징입니다. 일반적으로 노트북과 AIO, 플라이백 컨버터, 태블릿용 어댑터, LED 조명에 사용됩니다.

결과: 12
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 상표명 포장
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET 2,338재고 상태
컷 테이프
₩6,496.4
₩3,339.8
₩3,029.8
₩2,592.9
릴
₩2,437.9
최소: 1
배수: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 12 A 340 mOhms 10 V 3 V 17.8 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package 765재고 상태
컷 테이프
₩6,228.7
₩3,184.8
₩2,888.9
₩2,452
릴
₩2,297
최소: 1
배수: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 450 mOhms 30 V 3 V 17.3 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package 2,318재고 상태
컷 테이프
₩8,384.7
₩4,396.7
₩4,016.2
₩3,649.8
₩3,438.4
릴
₩3,438.4
최소: 1
배수: 1
: 2,500
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 800 V 16 A 220 Ohms 30 V 4 V 25.9 nC - 55 C + 150 C 105 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET 988재고 상태
₩10,597.2
₩6,059.6
₩5,101.3
₩4,537.6
₩4,072.6
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 800 V 16 A 220 mOhms 30 V 3.5 V 25.9 nC - 55 C + 150 C 27 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET 997재고 상태
₩3,621.6
₩1,775.6
₩1,578.3
₩1,272.5
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 800 V 5 A 1.1 Ohms 30 V 4 V 5.7 nC - 55 C + 150 C 21 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET 1,055재고 상태
₩3,593.5
₩1,761.5
₩1,578.3
₩1,261.2
최소: 1
배수: 1
Si Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET 698재고 상태
₩4,720.8
₩2,776.1
₩2,127.9
₩1,747.4
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 7 A 600 mOhms 30 V 4 V 10.7 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET 19재고 상태
2,000예상 2027-04-23
₩5,129.5
₩3,353.9
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 800 V 7 A 600 mOhms 30 V 4 V 10.7 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement MDmesh Tube


STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package 48재고 상태
1,000예상 2027-04-23
₩10,019.4
₩5,777.7
₩4,396.7
₩3,847.1
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 220 mOhms 30 V 4 V 25.9 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 400 mOhm typ., 8 A MDmesh K6 Power MOSFET 159재고 상태
₩6,905.1
₩3,579.4
₩3,241.2
₩2,677.5
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 450 mOhms Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package 비재고 리드 타임 34 주
₩2,959.3
최소: 1,000
배수: 1,000
Si Through Hole TO-220-3 1 Channel 800 V 12 A 340 mOhms 30 V 3.5 V - 55 C + 150 C 115 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 750 mOhm typ., 6 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package 비재고 리드 타임 34 주
₩1,371.2
₩1,352.8
최소: 1,000
배수: 1,000
Si Through Hole TO-220-3 1 Channel 800 V 6 A 900 mOhms 30 V 3.5 V 7 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement Tube