600V MDmesh™ DM6 슈퍼 접합 MOSFET

STMicroelectronics 600V MDmesh™ DM6 슈퍼 접합 MOSFET은 ZVS, 풀 브리지 및 하프 브리지 토폴로지에 맞게 최적화되어 있습니다. 항복 전압이 600V인 MDmesh DM6 전력 MOSFET은 최적화된 정전용량 프로파일과 수명 단축 프로세스를 결합합니다. MDmesh DM6 MOSFET은 낮은 게이트 전하(Qg), 매우 낮은 회수 전하(Qrr), 낮은 복구 시간(trr) 및 영역 당 우수한 RDS(on)를 제공합니다.

결과: 9
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 상표명 포장
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET 455재고 상태
₩11,837.3
₩6,426
₩5,397.2
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 71 mOhms 25 V 3.25 V 54 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea 580재고 상태
₩11,287.7
₩7,060.1
₩5,791.8
₩5,495.9
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 71 mOhms 25 V 3.25 V 54 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 2,632재고 상태
컷 테이프
₩11,499.1
₩7,144.6
₩6,101.8
₩5,495.9
₩5,016.8
릴
₩4,918.1
최소: 1
배수: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 110 mOhms 25 V 3.25 V 44 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package 265재고 상태
₩14,303.4
₩9,808
₩8,088.8
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 72 A 36 mOhms 25 V 3.25 V 117 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 165 mOhm typ., 18 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package 1,186재고 상태
₩6,862.8
₩3,537.1
₩2,762
₩2,621.1
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 195 mOhms 25 V 3.25 V 24 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 165 mOhm typ., 18 A MDmesh DM6 Power MOSFET in TO-220FP package 비재고 리드 타임 36 주
₩2,494.3
최소: 1,000
배수: 1,000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 195 mOhms 25 V 3.25 V 24 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package 비재고 리드 타임 36 주
₩8,427
최소: 600
배수: 600
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 72 A 36 mOhms 25 V 3.25 V 106 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 35 mOhm typ., 63 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead 비재고 리드 타임 36 주
₩19,080.6
₩13,937
₩11,611.8
₩10,343.5
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 63 A 41 mOhms 25 V 3.25 V 106 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package 비재고 리드 타임 36 주
₩6,806.4
최소: 600
배수: 600
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 62 A 42 mOhms 25 V 3.25 V 99 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement MDmesh Tube