GaN FET – Mouser 대한민국

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QPD1028 및 QPD1028L 750W GaN on SiC 트랜지스터

Qorvo QPD1028 및 QPD1028L 750W GaN on SiC 트랜지스터는 1.2~1.4GHz에서 작동하는 GaN on SiC HEMT(Gallium Nitride on Silicon Carbide High-Electron-Mobility Transistor)입니다. 이 장치는 59dBm 포화 출력 전력과 18dB 대신호 이득과 70% 드레인 효율을 제공합니다. QPD1028 및 QPD1028L 트랜지스터는 최적의 성능을 위해 내부적으로 사전 정합되어 연속파 및 펄스 작동을 모두 지원할 수 있습니다.

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선택	이미지	부품 번호	제조업체	설명	데이터시트	구매 가능 정보	가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.	수량	RoHS	ECAD 모델	장착 스타일	패키지/케이스	Vds - 드레인 소스 항복 전압	Id - 연속 드레인 전류	최저 작동온도	최고 작동온도	Pd - 전력 발산	기술
	GaN FET 750W,65V,Pre-matched,1.2-1.4GHz,Earl QPD1028 Qorvo 1: ₩3,455,181.6 11재고 상태	제조업체 부품 번호 QPD1028 Mouser 부품 번호 772-QPD1028	Qorvo	GaN FET 750W,65V,Pre-matched,1.2-1.4GHz,Earl Qorvo qpd1028 qpd1028l transistors 에 대해 자세히 알아보기		11재고 상태	₩3,455,181.6	최소: 1 배수: 1			SMD/SMT	NI-780	65 V	19 A	- 40 C	+ 85 C	400 W	GaN SiC
	GaN FET 750W,65V,Pre-matched,1.2-1.4GHz,Flan QPD1028L Qorvo 18: ₩3,455,181.6 비재고 리드 타임 20 주	제조업체 부품 번호 QPD1028L Mouser 부품 번호 772-QPD1028L	Qorvo	GaN FET 750W,65V,Pre-matched,1.2-1.4GHz,Flan Qorvo qpd1028 qpd1028l transistors 에 대해 자세히 알아보기		비재고 리드 타임 20 주	₩3,455,181.6	최소: 18 배수: 18			SMD/SMT	NI-780	65 V	19 A	- 40 C	+ 85 C	400 W	GaN SiC

QPD1028 및 QPD1028L 750W GaN on SiC 트랜지스터

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