SiC MOSFET – Mouser 대한민국

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

이미지	부품 번호	제조업체	설명	데이터시트	구매 가능 정보	가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.	수량	장착 스타일	패키지/케이스	채널 수	Vds - 드레인 소스 항복 전압	Id - 연속 드레인 전류	Rds On - 드레인 소스 저항	Vgs - 게이트 소스 전압	Vgs th - 게이트 소스 역치 전압	Qg - 게이트 전하	최저 작동온도	최고 작동온도	Pd - 전력 발산	채널 모드
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R008M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: ₩56,799.6 740재고 상태 2,000주문 중	제조업체 부품 번호 IMBG120R008M2HXTMA1 Mouser 부품 번호 726-IMBG120R008M2HXT	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	740재고 상태 2,000주문 중 주문 배송 날짜 제조업체 번호: IMBG120R008M2HXTMA1 재고: 740 즉시 배송 가능 주문 중: 1,000 일정 대기 중 1,000 예상 2026-10-15 공장 리드 타임: 60 주	컷 테이프 ₩56,799.6 ₩42,244.8 ₩42,229.2 ₩40,326 릴 ₩40,014 MouseReel 사용가능	최소: 1 배수: 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	189 A	7.7 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	195 nC	- 55 C	+ 175 C	800 W	Enhancement
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R012M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: ₩42,541.2 143재고 상태 2,000주문 중	제조업체 부품 번호 IMBG120R012M2HXTMA1 Mouser 부품 번호 726-IMBG120R012M2HXT	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	143재고 상태 2,000주문 중 주문 배송 날짜 제조업체 번호: IMBG120R012M2HXTMA1 재고: 143 즉시 배송 가능 주문 중: 1,000 예상 2026-10-15 1,000 예상 2026-10-19 공장 리드 타임: 53 주	컷 테이프 ₩42,541.2 ₩29,718 ₩28,938 ₩27,409.2 릴 ₩25,942.8	최소: 1 배수: 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	144 A	12.2 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	124 nC	- 55 C	+ 175 C	600 W	Enhancement
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R022M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: ₩25,474.8 294재고 상태	제조업체 부품 번호 IMBG120R022M2HXTMA1 Mouser 부품 번호 726-IMBG120R022M2HXT	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	294재고 상태	컷 테이프 ₩25,474.8 ₩15,256.8 ₩15,241.2 릴 ₩14,430 MouseReel 사용가능	최소: 1 배수: 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	87 A	21.6 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	71 nC	- 55 C	+ 175 C	385 W	Enhancement
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R026M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: ₩20,560.8 1,609재고 상태	제조업체 부품 번호 IMBG120R026M2HXTMA1 Mouser 부품 번호 726-IMBG120R026M2HXT	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	1,609재고 상태	컷 테이프 ₩20,560.8 ₩12,495.6 ₩12,308.4 릴 ₩11,824.8	최소: 1 배수: 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	75 A	25.4 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	60 nC	- 55 C	+ 175 C	335 W	Enhancement
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R053M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: ₩14,929.2 561재고 상태	제조업체 부품 번호 IMBG120R053M2HXTMA1 Mouser 부품 번호 726-IMBG120R053M2HXT	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	561재고 상태	컷 테이프 ₩14,929.2 ₩8,236.8 ₩7,581.6 ₩7,519.2 릴 ₩6,723.6 MouseReel 사용가능	최소: 1 배수: 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	41 A	52.6 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	30 nC	- 55 C	+ 175 C	205 W	Enhancement
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R181M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: ₩9,094.8 844재고 상태 2,000주문 중	제조업체 부품 번호 IMBG120R181M2HXTMA1 Mouser 부품 번호 726-IMBG120R181M2HXT	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	844재고 상태 2,000주문 중	컷 테이프 ₩9,094.8 ₩4,773.6 ₩4,352.4 ₩3,931.2 릴 ₩3,712.8 MouseReel 사용가능	최소: 1 배수: 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	14.9 A	181.4 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	9.7 nC	- 55 C	+ 175 C	94 W	Enhancement
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R234M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: ₩8,221.2 5,092재고 상태	제조업체 부품 번호 IMBG120R234M2HXTMA1 Mouser 부품 번호 726-IMBG120R234M2HXT	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	5,092재고 상태	컷 테이프 ₩8,221.2 ₩4,274.4 ₩3,884.4 ₩3,432 릴 ₩3,416.4	최소: 1 배수: 1 최대: 1,000 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	8.1 A	233.9 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	7.9 nC	- 55 C	+ 175 C	80 W	Enhancement
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R040M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: ₩17,612.4 200재고 상태 1,000예상 2026-12-10	제조업체 부품 번호 IMBG120R040M2HXTMA1 Mouser 부품 번호 726-IMBG120R040M2HXT	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	200재고 상태 1,000예상 2026-12-10	컷 테이프 ₩17,612.4 ₩10,062 ₩9,048 릴 ₩8,564.4	최소: 1 배수: 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	52 A	39.6 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	8.1 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R078M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: ₩13,119.6 46재고 상태 2,000예상 2027-06-10	제조업체 부품 번호 IMBG120R078M2HXTMA1 Mouser 부품 번호 726-IMBG120R078M2HXT	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	46재고 상태 2,000예상 2027-06-10	컷 테이프 ₩13,119.6 ₩7,082.4 ₩6,489.6 ₩6,271.2 릴 ₩5,538	최소: 1 배수: 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	29 A	78.1 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	20.6 nC	- 55 C	+ 175 C	158 W	Enhancement
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R017M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: ₩30,295.2 2,000주문 중	제조업체 부품 번호 IMBG120R017M2HXTMA1 Mouser 부품 번호 726-IMBG120R017M2HXT	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	2,000주문 중 주문 배송 날짜 제조업체 번호: IMBG120R017M2HXTMA1 재고: 0 주문 중: 1,000 예상 2026-10-15 1,000 예상 2027-09-07 공장 리드 타임: 53 주	컷 테이프 ₩30,295.2 ₩19,063.2 ₩18,595.2 ₩18,142.8 릴 ₩17,815.2	최소: 1 배수: 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	107 A	17.1 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	89 nC	- 55 C	+ 175 C	470 W	Enhancement
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R116M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: ₩10,654.8 2,000예상 2027-02-18	제조업체 부품 번호 IMBG120R116M2HXTMA1 Mouser 부품 번호 726-IMBG120R116M2HXT	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	2,000예상 2027-02-18	컷 테이프 ₩10,654.8 ₩5,662.8 ₩5,194.8 ₩4,851.6 릴 ₩4,586.4	최소: 1 배수: 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	21.2 A	115.7 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	14.4 nC	- 55 C	+ 175 C	123 W	Enhancement

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