SiC MOSFET – Mouser 대한민국

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자동차 등급 탄화 규소 전력 MOSFET

STMicroelectronics 자동차 등급 탄화 규소 전력 MOSFET은 ST의 진보되고 혁신적인 2세대/3세대 SiC MOSFET 기술을 사용하여 개발되었습니다. 이 장치 는 단위 면적당 낮은 온 상태 저항과 매우 우수한 스위칭 성능이 특징입니다. 이 MOSFET은 매우 높은 작동 온도 성능 (TJ = 200°C)과 매우 빠르고 견고한 고유 본체 다이오드가 특징입니다.

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장착 스타일

패키지/케이스

Vds - 드레인 소스 항복 전압

Id - 연속 드레인 전류

Rds On - 드레인 소스 저항

Vgs - 게이트 소스 전압

Vgs th - 게이트 소스 역치 전압

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이미지	부품 번호	제조업체	설명	데이터시트	구매 가능 정보	가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.	수량	장착 스타일	패키지/케이스	채널 수	Vds - 드레인 소스 항복 전압	Id - 연속 드레인 전류	Rds On - 드레인 소스 저항	Vgs - 게이트 소스 전압	Vgs th - 게이트 소스 역치 전압	Qg - 게이트 전하	최저 작동온도	최고 작동온도	Pd - 전력 발산	채널 모드	자격
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package SCT020HU120G3AG STMicroelectronics 1: ₩35,505.6 32재고 상태 1,200예상 2027-02-19 신제품	제조업체 부품 번호 SCT020HU120G3AG Mouser 부품 번호 511-SCT020HU120G3AG 신제품	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	32재고 상태 1,200예상 2027-02-19	컷 테이프 ₩35,505.6 ₩24,382.8 ₩22,401.6 릴 ₩20,280 MouseReel 사용가능	최소: 1 배수: 1 : 600	SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	1.2 kV	100 A	28 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	121 nC	- 55 C		555 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package SCT012W90G3-4AG STMicroelectronics 1: ₩37,128 570재고 상태	제조업체 부품 번호 SCT012W90G3-4AG Mouser 부품 번호 511-SCT012W90G3-4AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	570재고 상태	₩37,128 ₩22,058.4 견적 견적	최소: 1 배수: 1	Through Hole	HiP247-3	1 Channel	900 V	110 A	15.8 mOhms	- 10 V, + 22 V	3.1 V	138 nC	- 55 C	+ 200 C	625 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package SCT015W120G3-4AG STMicroelectronics 1: ₩41,386.8 524재고 상태	제조업체 부품 번호 SCT015W120G3-4AG Mouser 부품 번호 511-SCT015W120G3-4AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	524재고 상태	₩41,386.8 ₩25,880.4	최소: 1 배수: 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	1.2 kV	129 A	15 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	167 nC	- 55 C	+ 200 C	673 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package SCT020W120G3-4AG STMicroelectronics 1: ₩31,558.8 246재고 상태 600예상 2027-07-23	제조업체 부품 번호 SCT020W120G3-4AG Mouser 부품 번호 511-SCT020W120G3-4AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	246재고 상태 600예상 2027-07-23	₩31,558.8 ₩19,000.8	최소: 1 배수: 1	Through Hole	Hip247-4	1 Channel	1.2 kV	100 A	28 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	121 nC	- 55 C	+ 200 C	541 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package SCT040H120G3AG STMicroelectronics 1: ₩21,262.8 957재고 상태	제조업체 부품 번호 SCT040H120G3AG Mouser 부품 번호 511-SCT040H120G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	957재고 상태	컷 테이프 ₩21,262.8 ₩12,090 ₩12,058.8 릴 ₩11,403.6	최소: 1 배수: 1 : 1,000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	40 A	54 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	54 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package SCT025W120G3-4AG STMicroelectronics 1: ₩32,916 13재고 상태 1,200주문 중	제조업체 부품 번호 SCT025W120G3-4AG Mouser 부품 번호 511-SCT025W120G3-4AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	13재고 상태 1,200주문 중 주문 배송 날짜 제조업체 번호: SCT025W120G3-4AG 재고: 13 즉시 배송 가능 주문 중: 600 예상 2027-05-07 600 예상 2027-06-11 공장 리드 타임: 36 주	₩32,916 ₩22,713.6 ₩20,732.4 ₩19,063.2	최소: 1 배수: 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	1.2 kV	56 A	37 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	73 nC	- 55 C	+ 200 C	388 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package SCT025W120G3AG STMicroelectronics 1: ₩29,562 44재고 상태 600예상 2027-05-14	제조업체 부품 번호 SCT025W120G3AG Mouser 부품 번호 511-SCT025W120G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	44재고 상태 600예상 2027-05-14	₩29,562 ₩18,392.4 ₩17,253.6	최소: 1 배수: 1	Through Hole	HiP247-3	1 Channel	1.2 kV	56 A	37 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	73 nC	- 55 C	+ 200 C	388 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package SCT040W120G3AG STMicroelectronics 1: ₩21,668.4 16재고 상태 600예상 2027-05-14	제조업체 부품 번호 SCT040W120G3AG Mouser 부품 번호 511-SCT040W120G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	16재고 상태 600예상 2027-05-14	₩21,668.4 ₩15,225.6 ₩11,622	최소: 1 배수: 1	Through Hole	HiP-247-3	1 Channel	1.2 kV	40 A	54 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	56 nC	- 55 C	+ 200 C	312 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H SCTW40N120G2VAG STMicroelectronics 1: ₩31,465.2 5재고 상태 600예상 2027-02-19	제조업체 부품 번호 SCTW40N120G2VAG Mouser 부품 번호 511-SCTW40N120G2VAG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	5재고 상태 600예상 2027-02-19	₩31,465.2 ₩16,848	최소: 1 배수: 1	Through Hole	HiP-247-3	1 Channel	1.2 kV	36 A	100 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.9 V	61 nC	- 55 C	+ 200 C	278 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package SCT011HU75G3AG STMicroelectronics 1: ₩42,853.2 1,200주문 중 신제품	제조업체 부품 번호 SCT011HU75G3AG Mouser 부품 번호 511-SCT011HU75G3AG 신제품	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	1,200주문 중 주문 배송 날짜 제조업체 번호: SCT011HU75G3AG 재고: 0 주문 중: 600 예상 2027-06-25 600 예상 2027-07-02 공장 리드 타임: 36 주	컷 테이프 ₩42,853.2 ₩32,198.4 ₩29,562 릴 ₩27,144 MouseReel 사용가능	최소: 1 배수: 1 : 600	SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	750 V	110 A	15 mOhms	- 10 V, + 22 V	3.2 V	154 nC	- 55 C	+ 175 C	652 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package SCT016H120G3AG STMicroelectronics 1: ₩40,248 1,985주문 중 신제품	제조업체 부품 번호 SCT016H120G3AG Mouser 부품 번호 511-SCT016H120G3AG 신제품	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	1,985주문 중 주문 배송 날짜 제조업체 번호: SCT016H120G3AG 재고: 0 주문 중: 985 예상 2027-02-19 1,000 예상 2027-04-30 공장 리드 타임: 25 주	컷 테이프 ₩40,248 ₩27,596.4 ₩26,863.2 릴 ₩24,866.4 MouseReel 사용가능	최소: 1 배수: 1 : 1,000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	112 A	22 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	150 nC	- 55 C	+ 175 C	652 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package SCT025H120G3AG STMicroelectronics 1: ₩28,641.6 1,997예상 2027-09-03	제조업체 부품 번호 SCT025H120G3AG Mouser 부품 번호 511-SCT025H120G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	1,997예상 2027-09-03	컷 테이프 ₩28,641.6 ₩17,737.2 ₩17,643.6 릴 ₩16,785.6	최소: 1 배수: 1 : 1,000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	55 A	37 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	73 nC	- 55 C	+ 175 C	375 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package SCT012H90G3AG STMicroelectronics 1: ₩36,394.8 998예상 2027-01-29	제조업체 부품 번호 SCT012H90G3AG Mouser 부품 번호 511-SCT012H90G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	998예상 2027-01-29	컷 테이프 ₩36,394.8 ₩23,712 ₩23,665.2 ₩22,261.2 릴 ₩21,169.2	최소: 1 배수: 1 : 1,000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	900 V	110 A	12 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	138 nC	- 55 C	+ 175 C	625 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package SCT040HU120G3AG STMicroelectronics 1: ₩25,724.4 1,200예상 2027-03-12 신제품	제조업체 부품 번호 SCT040HU120G3AG Mouser 부품 번호 511-SCT040HU120G3AG 신제품	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	1,200예상 2027-03-12	컷 테이프 ₩25,724.4 ₩16,473.6 ₩14,476.8 릴 ₩12,308.4 MouseReel 사용가능	최소: 1 배수: 1 : 600	SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	1.2 kV	40 A	72 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	54 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A SCT040HU65G3AG STMicroelectronics 1: ₩21,309.6 600예상 2027-10-08	제조업체 부품 번호 SCT040HU65G3AG Mouser 부품 번호 511-SCT040HU65G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	600예상 2027-10-08	컷 테이프 ₩21,309.6 ₩16,239.6 ₩13,525.2 릴 ₩12,058.8 ₩11,403.6 MouseReel 사용가능	최소: 1 배수: 1 : 600	SMD/SMT	H2PAK-2	1 Channel	650 V	7 A	40 mOhms	- 30 V, + 30 V	5 V	36 nC	- 55 C	+ 150 C	266 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A SCT055HU65G3AG STMicroelectronics 1: ₩21,106.8 1,800주문 중	제조업체 부품 번호 SCT055HU65G3AG Mouser 부품 번호 511-SCT055HU65G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	1,800주문 중 주문 배송 날짜 제조업체 번호: SCT055HU65G3AG 재고: 0 주문 중: 600 예상 2027-02-12 1,200 예상 2027-02-19 공장 리드 타임: 36 주	컷 테이프 ₩21,106.8 ₩13,634.4 ₩12,433.2 릴 ₩11,294.4 MouseReel 사용가능	최소: 1 배수: 1 : 600	SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	650 V	30 A	72 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.2 V	29 nC	- 55 C	+ 175 C	185 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package SCT070HU120G3AG STMicroelectronics 1: ₩22,885.2 599예상 2026-11-11	제조업체 부품 번호 SCT070HU120G3AG Mouser 부품 번호 511-SCT070HU120G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	599예상 2026-11-11	컷 테이프 ₩22,885.2 ₩15,709.2 ₩13,837.2 릴 ₩12,480	최소: 1 배수: 1 : 600	SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	1.2 kV	30 A	87 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	37 nC	- 55 C	+ 175 C	223 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package SCT040W120G3-4 STMicroelectronics 1: ₩20,935.2 100주문 중	제조업체 부품 번호 SCT040W120G3-4 Mouser 부품 번호 511-SCT040W120G3-4	STMicroelectronics	SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	100주문 중	₩20,935.2 ₩13,790.4 ₩12,090 ₩10,311.6	최소: 1 배수: 1	Through Hole	HiP247-4	1 Channel	1.2 kV	40 A	54 mOhms	- 10 V, + 22 V	3.1 V	56 nC	- 55 C	+ 200 C	312 W	Enhancement	AEC-Q101

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