SiC MOSFET – Mouser 대한민국

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자동차 등급 탄화 규소 전력 MOSFET

STMicroelectronics 자동차 등급 탄화 규소 전력 MOSFET은 ST의 진보되고 혁신적인 2세대/3세대 SiC MOSFET 기술을 사용하여 개발되었습니다. 이 장치 는 단위 면적당 낮은 온 상태 저항과 매우 우수한 스위칭 성능이 특징입니다. 이 MOSFET은 매우 높은 작동 온도 성능 (TJ = 200°C)과 매우 빠르고 견고한 고유 본체 다이오드가 특징입니다.

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결과: 17

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장착 스타일

패키지/케이스

Vds - 드레인 소스 항복 전압

Id - 연속 드레인 전류

Rds On - 드레인 소스 저항

Vgs - 게이트 소스 전압

Vgs th - 게이트 소스 역치 전압

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이미지	부품 번호	제조업체	설명	데이터시트	구매 가능 정보	가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.	수량	장착 스타일	패키지/케이스	채널 수	Vds - 드레인 소스 항복 전압	Id - 연속 드레인 전류	Rds On - 드레인 소스 저항	Vgs - 게이트 소스 전압	Vgs th - 게이트 소스 역치 전압	Qg - 게이트 전하	최저 작동온도	최고 작동온도	Pd - 전력 발산	채널 모드	자격
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package SCT012W90G3-4AG STMicroelectronics 1: ₩37,923.6 558재고 상태	제조업체 부품 번호 SCT012W90G3-4AG Mouser 부품 번호 511-SCT012W90G3-4AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	558재고 상태	₩37,923.6 ₩30,357.6 ₩26,254.8 ₩24,866.4 견적 견적	최소: 1 배수: 1	Through Hole	HiP247-3	1 Channel	900 V	110 A	15.8 mOhms	- 10 V, + 22 V	3.1 V	138 nC	- 55 C	+ 200 C	625 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package SCT015W120G3-4AG STMicroelectronics 1: ₩43,243.2 443재고 상태	제조업체 부품 번호 SCT015W120G3-4AG Mouser 부품 번호 511-SCT015W120G3-4AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	443재고 상태	₩43,243.2 ₩34,616.4 ₩29,936.4 ₩28,345.2 견적 견적	최소: 1 배수: 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	1.2 kV	129 A	15 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	167 nC	- 55 C	+ 200 C	673 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package SCT020W120G3-4AG STMicroelectronics 1: ₩31,231.2 175재고 상태 600예상 2027-08-27	제조업체 부품 번호 SCT020W120G3-4AG Mouser 부품 번호 511-SCT020W120G3-4AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	175재고 상태 600예상 2027-08-27	₩31,231.2 ₩18,501.6	최소: 1 배수: 1	Through Hole	Hip247-4	1 Channel	1.2 kV	100 A	28 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	121 nC	- 55 C	+ 200 C	541 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package SCT040H120G3AG STMicroelectronics 1: ₩20,716.8 892재고 상태	제조업체 부품 번호 SCT040H120G3AG Mouser 부품 번호 511-SCT040H120G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	892재고 상태	컷 테이프 ₩20,716.8 ₩15,428.4 ₩12,870 ₩11,466 릴 ₩10,701.6	최소: 1 배수: 1 : 1,000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	40 A	54 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	54 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package SCT020HU120G3AG STMicroelectronics 1: ₩34,741.2 18재고 상태 1,200예상 2026-11-04	제조업체 부품 번호 SCT020HU120G3AG Mouser 부품 번호 511-SCT020HU120G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	18재고 상태 1,200예상 2026-11-04	컷 테이프 ₩34,741.2 ₩25,942.8 ₩22,448.4 릴 ₩21,247.2 MouseReel 사용가능	최소: 1 배수: 1 : 600	SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	1.2 kV	100 A	28 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	121 nC	- 55 C		555 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package SCT025W120G3-4AG STMicroelectronics 1: ₩31,231.2 14재고 상태 1,200주문 중	제조업체 부품 번호 SCT025W120G3-4AG Mouser 부품 번호 511-SCT025W120G3-4AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	14재고 상태 1,200주문 중 주문 배송 날짜 제조업체 번호: SCT025W120G3-4AG 재고: 14 즉시 배송 가능 주문 중: 600 예상 2027-07-23 600 예상 2027-08-06 공장 리드 타임: 36 주	₩31,231.2 ₩20,280 ₩17,940 ₩16,504.8	최소: 1 배수: 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	1.2 kV	56 A	37 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	73 nC	- 55 C	+ 200 C	388 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package SCT025W120G3AG STMicroelectronics 1: ₩29,562 43재고 상태 600예상 2027-08-27	제조업체 부품 번호 SCT025W120G3AG Mouser 부품 번호 511-SCT025W120G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	43재고 상태 600예상 2027-08-27	₩29,562 ₩18,392.4 ₩17,253.6	최소: 1 배수: 1	Through Hole	HiP247-3	1 Channel	1.2 kV	56 A	37 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	73 nC	- 55 C	+ 200 C	388 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package SCT040W120G3AG STMicroelectronics 1: ₩21,824.4 14재고 상태 600예상 2027-07-02	제조업체 부품 번호 SCT040W120G3AG Mouser 부품 번호 511-SCT040W120G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	14재고 상태 600예상 2027-07-02	₩21,824.4 ₩16,629.6 ₩13,852.8 ₩12,355.2 ₩11,528.4	최소: 1 배수: 1	Through Hole	HiP-247-3	1 Channel	1.2 kV	40 A	54 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	56 nC	- 55 C	+ 200 C	312 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package SCT011HU75G3AG STMicroelectronics 1: ₩48,094.8 1,200예상 2027-06-18	제조업체 부품 번호 SCT011HU75G3AG Mouser 부품 번호 511-SCT011HU75G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	1,200예상 2027-06-18	컷 테이프 ₩48,094.8 ₩38,500.8 ₩33,290.4 릴 ₩31,527.6 MouseReel 사용가능	최소: 1 배수: 1 : 600	SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	750 V	110 A	15 mOhms	- 10 V, + 22 V	3.2 V	154 nC	- 55 C	+ 175 C	652 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package SCT016H120G3AG STMicroelectronics 1: ₩42,073.2 1,985주문 중	제조업체 부품 번호 SCT016H120G3AG Mouser 부품 번호 511-SCT016H120G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	1,985주문 중 주문 배송 날짜 제조업체 번호: SCT016H120G3AG 재고: 0 주문 중: 985 예상 2027-04-30 1,000 예상 2027-06-04 공장 리드 타임: 25 주	컷 테이프 ₩42,073.2 ₩33,680.4 ₩29,125.2 ₩27,580.8 릴 ₩25,771.2 MouseReel 사용가능	최소: 1 배수: 1 : 1,000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	112 A	22 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	150 nC	- 55 C	+ 175 C	652 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package SCT025H120G3AG STMicroelectronics 1: ₩28,641.6 1,997예상 2027-04-16	제조업체 부품 번호 SCT025H120G3AG Mouser 부품 번호 511-SCT025H120G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	1,997예상 2027-04-16	컷 테이프 ₩28,641.6 ₩17,737.2 ₩17,503.2 릴 ₩16,161.6	최소: 1 배수: 1 : 1,000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	55 A	37 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	73 nC	- 55 C	+ 175 C	375 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package SCT012H90G3AG STMicroelectronics 1: ₩35,973.6 998예상 2027-06-04	제조업체 부품 번호 SCT012H90G3AG Mouser 부품 번호 511-SCT012H90G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	998예상 2027-06-04	컷 테이프 ₩35,973.6 ₩23,353.2 ₩23,306.4 ₩22,027.2 릴 ₩20,576.4	최소: 1 배수: 1 : 1,000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	900 V	110 A	12 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	138 nC	- 55 C	+ 175 C	625 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package SCT040HU120G3AG STMicroelectronics 1: ₩25,287.6 1,200예상 2027-03-12	제조업체 부품 번호 SCT040HU120G3AG Mouser 부품 번호 511-SCT040HU120G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	1,200예상 2027-03-12	컷 테이프 ₩25,287.6 ₩19,266 ₩16,052.4 릴 ₩14,305.2 MouseReel 사용가능	최소: 1 배수: 1 : 600	SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	1.2 kV	40 A	72 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	54 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A SCT040HU65G3AG STMicroelectronics 1: ₩21,309.6 600예상 2027-08-06	제조업체 부품 번호 SCT040HU65G3AG Mouser 부품 번호 511-SCT040HU65G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	600예상 2027-08-06	컷 테이프 ₩21,309.6 ₩16,239.6 ₩13,525.2 릴 ₩12,058.8 ₩11,403.6 MouseReel 사용가능	최소: 1 배수: 1 : 600	SMD/SMT	H2PAK-2	1 Channel	650 V	7 A	40 mOhms	- 30 V, + 30 V	5 V	36 nC	- 55 C	+ 150 C	266 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A SCT055HU65G3AG STMicroelectronics 1: ₩21,106.8 1,800예상 2027-04-30	제조업체 부품 번호 SCT055HU65G3AG Mouser 부품 번호 511-SCT055HU65G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	1,800예상 2027-04-30	컷 테이프 ₩21,106.8 ₩13,634.4 ₩12,433.2 릴 ₩11,294.4 MouseReel 사용가능	최소: 1 배수: 1 : 600	SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	650 V	30 A	72 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.2 V	29 nC	- 55 C	+ 175 C	185 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package SCT070HU120G3AG STMicroelectronics 1: ₩22,885.2 599예상 2026-12-14	제조업체 부품 번호 SCT070HU120G3AG Mouser 부품 번호 511-SCT070HU120G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	599예상 2026-12-14	컷 테이프 ₩22,885.2 ₩15,709.2 ₩13,837.2 릴 ₩12,480	최소: 1 배수: 1 : 600	SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	1.2 kV	30 A	87 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	37 nC	- 55 C	+ 175 C	223 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package SCT040W120G3-4 STMicroelectronics 1: ₩21,340.8 100주문 중	제조업체 부품 번호 SCT040W120G3-4 Mouser 부품 번호 511-SCT040W120G3-4	STMicroelectronics	SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	100주문 중	₩21,340.8 ₩15,896.4 ₩13,244.4 ₩11,809.2	최소: 1 배수: 1	Through Hole	HiP247-4	1 Channel	1.2 kV	40 A	54 mOhms	- 10 V, + 22 V	3.1 V	56 nC	- 55 C	+ 200 C	312 W	Enhancement	AEC-Q101

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