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결과: 4

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장착 스타일

패키지/케이스

Id - 연속 드레인 전류

Rds On - 드레인 소스 저항

Vgs - 게이트 소스 전압

Vgs th - 게이트 소스 역치 전압

Qg - 게이트 전하

Pd - 전력 발산

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선택	이미지	부품 번호	제조업체	설명	데이터시트	구매 가능 정보	가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.	수량	RoHS	ECAD 모델	기술	장착 스타일	패키지/케이스	트랜지스터 극성	채널 수	Vds - 드레인 소스 항복 전압	Id - 연속 드레인 전류	Rds On - 드레인 소스 저항	Vgs - 게이트 소스 전압	Vgs th - 게이트 소스 역치 전압	Qg - 게이트 전하	최저 작동온도	최고 작동온도	Pd - 전력 발산	채널 모드	상표명	포장
	MOSFET HIGH POWER_NEW IPT60R022S7XTMA1 Infineon Technologies 1: ₩21,668.4 13,902재고 상태	제조업체 부품 번호 IPT60R022S7XTMA1 Mouser 부품 번호 726-IPT60R022S7XTMA1	Infineon Technologies	MOSFET HIGH POWER_NEW Infineon Technologies infineon coolmos sj s7 s7t mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	13,902재고 상태	컷 테이프 ₩21,668.4 ₩12,979.2 ₩12,745.2 ₩12,308.4 ₩11,934 릴 ₩11,497.2 MouseReel 사용가능	최소: 1 배수: 1 : 2,000			Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	600 V	23 A	22 mOhms	20 V	4.5 V	150 nC	- 55 C	+ 150 C	390 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
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	MOSFET HIGH POWER_NEW IPP60R022S7XKSA1 Infineon Technologies 1: ₩19,921.2 851재고 상태 2,500주문 중	제조업체 부품 번호 IPP60R022S7XKSA1 Mouser 부품 번호 726-IPP60R022S7XKSA1	Infineon Technologies	MOSFET HIGH POWER_NEW Infineon Technologies infineon coolmos sj s7 s7t mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	851재고 상태 2,500주문 중 주문 배송 날짜 제조업체 번호: IPP60R022S7XKSA1 재고: 851 즉시 배송 가능 주문 중: 1,500 예상 2027-05-13 1,000 미정 공장 리드 타임: 52 주	₩19,921.2 ₩11,247.6 ₩10,483.2	최소: 1 배수: 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	23 A	22 mOhms	20 V	4.5 V	150 nC	- 55 C	+ 150 C	390 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
	MOSFET HIGH POWER_NEW IPT60R040S7XTMA1 Infineon Technologies 1: ₩15,100.8 985재고 상태	제조업체 부품 번호 IPT60R040S7XTMA1 Mouser 부품 번호 726-IPT60R040S7XTMA1	Infineon Technologies	MOSFET HIGH POWER_NEW Infineon Technologies infineon coolmos sj s7 s7t mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	985재고 상태	컷 테이프 ₩15,100.8 ₩8,314.8 ₩7,706.4 ₩7,285.2 릴 ₩7,285.2 MouseReel 사용가능	최소: 1 배수: 1 : 2,000			Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	600 V	13 A	40 mOhms	20 V	4.5 V	83 nC	- 55 C	+ 150 C	245 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel