고전압 MOSFET 모듈

Vishay 고전압 MOSFET 모듈은 SOT-227 패키지로 제공되는 전력 모듈로서, 모든 상업용 애플리케이션에 보편적으로 사용됩니다. 이 MOSFET 모듈은 ThunderFET ® 및 TrenchFET® 기술이 특징이며 스위치 및 전도 손실을 감소시키는 단일 스위치 전력 MOSFET을 포함합니다.고전압 MOSFET 모듈에는 완전 절연 패키지, 낮은 온 저항, 동적 dV/dt 정격 및 낮은 드레인-케이스 정전용량을 제공하는 전력 MOSFET도 포함됩니다. 이 전력 MOSFET는 고속 스위칭, 견고한 장치 설계, 낮은 온 저항 및 비용 효율성의 최상의 조합을 제공합니다.

결과: 7
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
시리즈
포장
Vishay Semiconductors MOSFET 모듈 Modules Mosfets - SOT-227 MOSFET
데이터시트
160재고 상태
160예상 2026-10-02
최소: 1
배수: 1
Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 650 V 113 A 27.3 mOhms 20 V 5.1 V - 55 C + 150 C 833 W VS-FC100SA65
Vishay Semiconductors MOSFET 모듈 Modules Mosfets - SOT-227 MOSFET
데이터시트
157재고 상태
최소: 1
배수: 1
Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 650 V 163 A 18.3 mOhms 20 V 5.1 V - 55 C + 150 C 1.042 W VS-FC150SA65
Vishay Semiconductors MOSFET 모듈 Modules Mosfets - SOT-227 MOSFET
데이터시트
160재고 상태
최소: 1
배수: 1
Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 650 V 68 A 54 mOhms 20 V 5.1 V - 55 C + 150 C 625 W VS-FC50SA65
Vishay Semiconductors MOSFET 모듈 200V, 3.3mOhm, 270A SOT-227 Pwr Mod
데이터시트
395재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 200 V 287 A 4.7 mOhms - 20 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 150 C 937 W Tube
Vishay Semiconductors MOSFET 모듈 100V 435A Module SOT-227
데이터시트
618재고 상태
1,440예상 2026-09-18
최소: 1
배수: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 100 V 435 A 2.15 mOhms - 20 V, + 20 V 2.2 V - 55 C + 175 C 652 W Tube
Vishay Semiconductors MOSFET 모듈 150V, 1.93mOhm, 400A SOT-227 Pwr Mod
데이터시트
265재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 150 V 400 A - 20 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 150 C 909 W Tube
Vishay Semiconductors MOSFET 모듈 Modules Mosfets - SOT-227 MOSFET
데이터시트
160주문 중
최소: 1
배수: 1
SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 54 mOhms 20 V 5.1 V - 55 C + 150 C 431 W VS-FC50LA65