62mm C 시리즈 TRENCHSTOP IGBT7 모듈

Infineon Technologies 62mm C 시리즈 TRENCHSTOP™ IGBT7 모듈은 높은 전력 밀도와 정온도 계수를 제공합니다. TRENCHSTOP IGBT7 기술 및 표준 하우징 덕분에이 이 모듈은 서보 드라이브, UPS 시스템 및 상업용 농업 차량에 이상적입니다. Infineon 62mm C 시리즈 TRENCHSTOP IGBT7 모듈은 산업용 애플리케이션에 대한 인증을 받았습니다.

결과: 7
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 제품
구성
콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO
콜렉터-이미터 포화 전압
25 C의 지속적인 컬렉터 전류
게이트-이미터 누설 전류
패키지/케이스
최저 작동온도
최고 작동온도
장착 스타일
기술
포장
Infineon Technologies IGBT 모듈 62 mm C-Series module with TRENCHSTOP IGBT7 and emitter controlled 7 diode
데이터시트
30재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Module Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm - 40 C + 175 C Screw Mount Si Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 450 A dual IGBT module
데이터시트
32재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 450 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Screw Mount Si Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 450 A common emitter IGBT module
데이터시트
29재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 450 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Screw Mount Si Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 600 A dual IGBT module
데이터시트
32재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Screw Mount Si Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 1700 V, 600 A dual IGBT module
데이터시트
32재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Screw Mount Si Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 800 A dual IGBT module
데이터시트
30재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Module Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm - 40 C + 175 C Screw Mount Si Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 800 A dual IGBT module
데이터시트
28재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Module Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm - 40 C + 175 C Screw Mount Si Tray