결과: 10
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일 패키지/케이스 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 상표명

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 625재고 상태
₩12,443.2
₩8,243.8
₩7,609.7
₩7,553.3
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 38 A 85 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 61 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 70MOHM 1200V M3 217재고 상태
₩24,562.4
₩14,176.6
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 29 A 64.8 mOhms - 8 V, + 22 V 3.37 V 47.9 nC - 55 C + 175 C 163 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 312재고 상태
컷 테이프
₩17,290.9
₩9,737.6
₩9,498
₩8,990.7
릴
₩8,990.7
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 46 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 497재고 상태
₩14,289.3
₩9,483.9
₩8,934.3
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 47 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V 202재고 상태
₩40,542.7
₩28,465.8
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 142 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 2,260재고 상태
컷 테이프
₩45,869.5
₩36,723.8
₩31,763.4
₩30,072.3
릴
₩28,099.4
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3 253재고 상태
1,350주문 중
₩13,429.7
₩7,553.3
₩6,947.4
₩6,031.4
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 37 A 91 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 49 nC - 55 C + 175 C 252 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS 60MOHM 900V 330재고 상태
컷 테이프
₩18,728.3
₩12,020.5
₩11,372.2
릴
₩11,372.2
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 900 V 44 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 88 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 70MOHM 1200V M3 13재고 상태
450예상 2027-02-09
₩15,261.6
₩9,188
₩7,454.7
₩6,806.4
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 37 A 91 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 49 nC - 55 C + 175 C 252 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS TOLL 650V 비재고 리드 타임 52 주
컷 테이프
₩19,193.3
₩14,613.4
₩12,175.5
₩10,850.8
₩9,216.2
릴
₩9,216.2
최소: 1
배수: 1
: 2,000
SMD/SMT PSOF-8 1 Channel 650 V 73 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC