1ED44175N01BXTSA1

Infineon Technologies
726-1ED44175N01BXTSA
1ED44175N01BXTSA1

제조업체:

설명:
게이트 드라이버 LOW SIDE DRIVERS

데이터시트:
ECAD 모델:
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추가 정보
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Infineon
제품 카테고리: 게이트 드라이버
RoHS:  
IGBT, MOSFET Gate Drivers
Low-Side
SMD/SMT
SOT-23-6
1 Driver
1 Output
2.6 A
12.7 V
20 V
Non-Inverting
5 ns
5 ns
- 40 C
+ 125 C
1ED4417x
Reel
Cut Tape
MouseReel
브랜드: Infineon Technologies
로직 타입: CMOS
최대 턴-오프 지연 시간: 5 ns
최대 턴-온 지연 시간: 5 ns
오프 시간 - 최대: 75 ns
작동 공급 전류: 50 uA
Pd - 전력 발산: 500 mW
제품 유형: Gate Drivers
전파 지연 - 최대: 75 ns
차단: Shutdown
팩토리 팩 수량: 3000
하위 범주: PMIC - Power Management ICs
기술: Si
부품번호 별칭: 1ED44175N01B SP002835878
단위 중량: 18.540 mg
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데이터시트

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Product Catalogs

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규정 준수 코드
CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542310075
ECCN:
EAR99
원산지 분류
COO(원산지):
중국
어셈블리 원산지:
중국
COD(확산 공정 국가):
독일
배송 시 국가는 변경될 수 있습니다.

1ED44175N01B 25 V 로우 측 게이트 드라이버

Infineon 1ED44175N01B 25 V 로우 측 게이트 드라이버는 통합 과전류 보호 (OCP), 오류 보고 및 활성화 기능을 제공합니다. 일반적으로 비교기, 다중 저항기 및 커패시터를 사용하여 전류를 측정하면 과전류를 보호할 수 있습니다. 1ED44175N01B는 비교기를 통합하여 비용을 절감하고 공간을 줄입니다. MOSFET 및 IGBT 용 1ED44175N01B EiceDRIVERTM™ 25 V 단일 채널, 로우 측, 비반전 게이트 드라이버는 일반적인 2.0 A 소스 및 싱크 전류가 특징이며 소형 6-lead PG-SOT23 패키지로 제공됩니다.

EiceDRIVER™ 로우 측 게이트 드라이버 IC

Infineon EiceDRIVER™ 로우 측 게이트 드라이버 IC는 고전압 게이트 드라이버의 견고한 기술과 최첨단 0.13µM 프로세스의 저전압 회로를 활용합니다. 이러한 Infineon 제작 기법을 사용하면 업계 표준 DSO-8, 소형 폼 팩터 SOT-23 및 WSON 패키지로 제공되는 고전력 밀도 애플리케이션을 위한 고전류 게이트 드라이버를 구현할 수 있습니다. 이 드라이버는 출력 전류, 로직 구성, 패키지 및 보호  기능을 위한 유연한 옵션이 있는 포괄적 인 단일 로우 측 및 이중 로우 측 게이트 드라이버 IC 제품군입니다. 보호 기능으로는 UVLO(부족전압 로크아웃), 통합 OCP(과전류 보호) 및 TDI(완전 차동 입력)을 들 수 있습니다. 이러한 기능은 자동차 인증 장치에서도 제공됩니다.

소형 가전 솔루션

Infineon 소형 가전 솔루션은 소형 가전 응용 제품에 적합한 많은 장치와 솔루션을 제공합니다. 스타일과 효율성에 대한 추세가 증가하고 있으며, 설계자들은 그러한 추세를 수 없이 다양하게 다루고 있습니다. 에너지 효율적이고 현대적이며 깨끗하고 밀폐된 표면은 설계 엔지니어가 고려해야 할 몇 가지 특징 일뿐입니다. Infineon은 유도 가열과 같은 여러 핵심 영역뿐만 아니라 에너지 효율적인 통합 전원 장치가 있는 모터 제어 솔루션이 필요한 기기를 위한 솔루션을 제공합니다.

절연 게이트 드라이버

Infineon 절연 게이트 드라이버는 자기 결합 코어리스 변압기(CT) 기술을 사용하여 갈바닉 절연을 통해 신호를 전송합니다. 이 드라이버는 기능 기본, 강화 절연, UL 1577 및 VDE 0884 인증 제품을 제공합니다. 절연은 매우 큰 전압 스윙 허용(예: ±1,200V). 이 절연 드라이버는 MOSFET, IGBT, IGBT 모듈, SiC MOSFET 및 GaN HEMT 구동을 위한 가장 중요한 특징과 매개변수를 통합하고 있습니다.

EiceDRIVER™ 게이트 드라이버 IC

Infineon EiceDRIVER™ 게이트 드라이버 IC는 MOSFET, IGBT, SiC MOSFET 및 GaN HEMT 장치용으로 설계되었습니다. EiceDRIVERTM™ 게이트 드라이버는 0.1A에서 최대 10A까지 광범위한 일반 출력 전류 옵션을 제공합니다. 이 장치는 DESAT(빠른 단락 보호), 능동 밀러 클램프, 슛스루 보호, 결함, 셧다운 및 과전류 보호와 같은 강력한 게이트 드라이브 보호 기능을 갖추고 있습니다. 이러한 특징 덕분에 이 드라이버 IC는 CoolGaN™ 및 CoolSiC™ 를 포함한 실리콘 및 와이드 밴드갭 전원 장치 모두에 매우 적합합니다. 이것이 바로 Infineon이 모든 전원 스위치와 모든 애플리케이션에 적합한 500개 이상의 EiceDRIVER™ 게이트 드라이버 IC 솔루션을 제공하는 이유입니다.

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단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:
포장:
전체 릴(3000의 배수로 주문)

가격 (KRW)

수량 단가
합계
컷 테이프/MouseReel™ †
₩936 ₩936
₩664.6 ₩6,646
₩580.3 ₩14,508
₩503.9 ₩50,390
₩469.6 ₩117,400
₩447.7 ₩223,850
₩427.4 ₩427,400
전체 릴(3000의 배수로 주문)
₩413.4 ₩1,240,200
₩402.5 ₩2,415,000
† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

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