SiC MOSFET – Mouser 대한민국

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Vds - 드레인 소스 항복 전압

Id - 연속 드레인 전류

Rds On - 드레인 소스 저항

Vgs - 게이트 소스 전압

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선택	이미지	부품 번호	제조업체	설명	데이터시트	구매 가능 정보	가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.	수량	RoHS	ECAD 모델	장착 스타일	패키지/케이스	채널 수	Vds - 드레인 소스 항복 전압	Id - 연속 드레인 전류	Rds On - 드레인 소스 저항	Vgs - 게이트 소스 전압	Vgs th - 게이트 소스 역치 전압	Qg - 게이트 전하	최저 작동온도	최고 작동온도	Pd - 전력 발산	채널 모드	상표명
	SiC MOSFET SIC_DISCRETE AIMW120R045M1XKSA1 Infineon Technologies 1: ₩34,257.6 712재고 상태 NRND	제조업체 부품 번호 AIMW120R045M1XKSA1 Mouser 부품 번호 726-AIMW120R045M1XKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SIC_DISCRETE Infineon Technologies infineon 1200v automotive coolsic modules 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	712재고 상태	₩34,257.6 ₩25,474.8	최소: 1 배수: 1			Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	52 A	59 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.7 V	57 nC	- 55 C	+ 175 C	228 W	Enhancement	CoolSiC
	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₩22,807.2 1,701재고 상태 NRND	제조업체 부품 번호 IMW65R027M1HXKSA1 Mouser 부품 번호 726-IMW65R027M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	1,701재고 상태	₩22,807.2 ₩13,712.4 ₩13,540.8	최소: 1 배수: 1			Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	47 A	34 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	62 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolSiC
	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₩16,239.6 299재고 상태 NRND	제조업체 부품 번호 IMZA65R048M1HXKSA1 Mouser 부품 번호 726-IMZA65R048M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	299재고 상태	₩16,239.6 ₩9,344.4 ₩8,658	최소: 1 배수: 1			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	39 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolSiC
	SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R1K0M1XTMA1 Infineon Technologies 1: ₩9,438 24,949주문 중	제조업체 부품 번호 IMBF170R1K0M1XTMA1 Mouser 부품 번호 726-IMBF170R1K0M1XTM	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	24,949주문 중 주문 배송 날짜 제조업체 번호: IMBF170R1K0M1XTMA1 재고: 0 주문 중: 1,949 예상 2027-01-07 23,000 미정 공장 리드 타임: 53 주	컷 테이프 ₩9,438 ₩6,177.6 ₩4,617.6 ₩3,868.8 릴 ₩3,354 MouseReel 사용가능	최소: 1 배수: 1 : 1,000			SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	5.2 A	1 Ohms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	5 nC	- 55 C	+ 175 C	68 W	Enhancement	CoolSiC
	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₩28,922.4 1,660주문 중 NRND	제조업체 부품 번호 IMZ120R030M1HXKSA1 Mouser 부품 번호 726-IMZ120R030M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	데이터시트	1,660주문 중	₩28,922.4 ₩22,027.2 ₩18,361.2 ₩16,348.8 ₩15,272.4	최소: 1 배수: 1			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	56 A	40 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement	CoolSiC
	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R140M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₩12,916.8 978주문 중 NRND	제조업체 부품 번호 IMW120R140M1HXKSA1 Mouser 부품 번호 726-IMW120R140M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	데이터시트	978주문 중 주문 배송 날짜 제조업체 번호: IMW120R140M1HXKSA1 재고: 0 주문 중: 18 예상 2026-11-05 480 예상 2027-10-11 480 미정 공장 리드 타임: 52 주	₩12,916.8 ₩7,971.6 ₩7,363.2 ₩5,850	최소: 1 배수: 1			Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	19 A	182 mOhms	- 7 V, + 23 V	3.5 V	13 nC	- 55 C	+ 175 C	94 W	Enhancement	CoolSiC
	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₩13,665.6 비재고 리드 타임 52 주 NRND	제조업체 부품 번호 IMZA65R072M1HXKSA1 Mouser 부품 번호 726-IMZA65R072M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	비재고 리드 타임 52 주	₩13,665.6 ₩8,034 ₩6,661.2 ₩6,630	최소: 1 배수: 1			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	28 A	94 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	CoolSiC