MOSFET – Mouser 대한민국

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RH6 N-채널 전력 MOSFET

ROHM Semiconductor RH6 N-채널 전력 MOSFET은 소형, 고전력, 8핀, 표면 실장 성형 패키지(HSMT-8)에서 낮은 온 상태 저항을 제공합니다. RH6 MOSFET은 59W 전력 손실과 -55°C~+150°C의 작동 온도 범위가 특징입니다. RH6 N-채널 전력 MOSFET은 스위칭 애플리케이션용으로 설계되었습니다.

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결과: 9

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Vds - 드레인 소스 항복 전압

Id - 연속 드레인 전류

Rds On - 드레인 소스 저항

Vgs - 게이트 소스 전압

Vgs th - 게이트 소스 역치 전압

Qg - 게이트 전하

최고 작동온도

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부품 번호

MOSFET HSMT8 150V 25A N-CH

RH6R025BHTB1
ROHM Semiconductor
1: ₩4,368
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: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

150 V

25 A

60 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

16.7 nC

- 55 C

+ 150 C

59 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

MOSFET HSMT8 100V 40A N-CH MOSFET

RH6P040BHTB1
ROHM Semiconductor
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MouseReel 사용가능

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HSMT-8

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1 Channel

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RH6G040CGTB1
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SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

40 V

135 A

2.4 mOhms

20 V

2.5 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

93 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

MOSFET HSMT8 N-CH 40V 135A

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SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

40 V

135 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

93 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

MOSFET Transistor, MOSFET Nch, 80V(Vdss), 4.0A(Id), (6.0V, 10V Drive)

RH6N040BHTB1
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MOSFET Transistor, MOSFET Nch, 80V(Vdss), 4.0A(Id), (6.0V, 10V Drive)

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HSMT-8

N-Channel

1 Channel

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65 A

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MOSFET HSMT8 N-CH 150V 40A

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HSMT-8

N-Channel

1 Channel

150 V

40 A

38 mOhms

20 V

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11.3 nC

- 55 C

+ 175 C

93 W

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MOSFET Nch 30V 125A, HSMT8, Power MOSFET

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30 V

125 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

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30 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

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Reel, Cut Tape

MOSFET HSMT8 N-CH 40V 95A

RH6G040BGTB1
ROHM Semiconductor
1: ₩4,212
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MOSFET HSMT8 N-CH 60V 65A

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MOSFET HSMT8 N-CH 60V 65A

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