SiC MOSFET – Mouser 대한민국

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DMWSH120Hx 1 200 V N-채널 전력 MOSFET

Diodes Incorporated DMWSH120Hx 1200V N채널 전력 MOSFET은 온 상태 저항을 최소화하고 우수한 스위칭 성능을 유지하도록 설계된 실리콘 카바이드 MOSFET입니다. 이 MOSFET은 낮은 입력 정전용량, 최대 100 μA 제로 게이트 전압 드레인 전류, 최대 ±250nA 게이트 소스 누설 및 전력 애플리케이션을 위한 높은 BV_DSS 등급이 특징입니다. DMWSH120Hx MOSFET은 -55 °C ~ 175 °C의 온도 범위 내에서 작동하고 UL 94 V-0 가연성 분류 등급을 준수합니다. 이 전력 MOSFET은 EV 고전력 DC-DC 컨버터, EV 충전 시스템, 태양광 인버터, AC-DC 트랙션 인버터 및 자동차 모터 드라이버에 이상적입니다.

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결과: 10

적용된 필터:

장착 스타일

패키지/케이스

Id - 연속 드레인 전류

Rds On - 드레인 소스 저항

Vgs - 게이트 소스 전압

Vgs th - 게이트 소스 역치 전압

Qg - 게이트 전하

최고 작동온도

Pd - 전력 발산

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이미지	부품 번호	제조업체	설명	데이터시트	구매 가능 정보	가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.	수량	장착 스타일	패키지/케이스	채널 수	Vds - 드레인 소스 항복 전압	Id - 연속 드레인 전류	Rds On - 드레인 소스 저항	Vgs - 게이트 소스 전압	Vgs th - 게이트 소스 역치 전압	Qg - 게이트 전하	최저 작동온도	최고 작동온도	Pd - 전력 발산	채널 모드
SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS DMWSH120H28SM3 Diodes Incorporated 1: ₩50,481.6 20재고 상태	제조업체 부품 번호 DMWSH120H28SM3 Mouser 부품 번호 621-DMWSH120H28SM3	Diodes Incorporated	SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS Diodes Incorporated diodes inc dmwsh120hx 1200v power mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	20재고 상태	₩50,481.6 ₩34,008 ₩31,075.2	최소: 1 배수: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	97.4 A	28.5 mOhms	- 8 V, + 19 V	3.6 V	175 nC	- 55 C	+ 175 C	405 W	Enhancement
SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS DMWSH120H28SM4 Diodes Incorporated 1: ₩50,481.6 17재고 상태	제조업체 부품 번호 DMWSH120H28SM4 Mouser 부품 번호 621-DMWSH120H28SM4	Diodes Incorporated	SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS Diodes Incorporated diodes inc dmwsh120hx 1200v power mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	17재고 상태	₩50,481.6 ₩34,008 ₩31,512	최소: 1 배수: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	100 A	28.5 mOhms	- 8 V, + 19 V	3.6 V	173.7 nC	- 55 C	+ 175 C	429 W	Enhancement
SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS DMWSH120H28SM4Q Diodes Incorporated 1: ₩59,670 20재고 상태	제조업체 부품 번호 DMWSH120H28SM4Q Mouser 부품 번호 621-DMWSH120H28SM4Q	Diodes Incorporated	SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS Diodes Incorporated diodes inc dmwsh120hx 1200v power mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	20재고 상태	₩59,670 ₩41,152.8	최소: 1 배수: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	100 A	28.5 mOhms	- 8 V, + 19 V	2.5 V	173.7 nC	- 55 C	+ 175 C	429 W	Enhancement
SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS DMWSH120H43SM3 Diodes Incorporated 1: ₩30,092.4 31재고 상태	제조업체 부품 번호 DMWSH120H43SM3 Mouser 부품 번호 621-DMWSH120H43SM3	Diodes Incorporated	SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS Diodes Incorporated diodes inc dmwsh120hx 1200v power mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	31재고 상태	₩30,092.4 ₩18,111.6 ₩17,004	최소: 1 배수: 1	Through Hole	To-247-3	1 Channel	1.2 kV	72.7 A	43 mOhms	- 8 V, + 19 V	2.5 V	105 nC	- 55 C	+ 175 C	341 W	Enhancement
SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS DMWSH120H90SM3 Diodes Incorporated 1: ₩19,562.4 78재고 상태	제조업체 부품 번호 DMWSH120H90SM3 Mouser 부품 번호 621-DMWSH120H90SM3	Diodes Incorporated	SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS Diodes Incorporated diodes inc dmwsh120hx 1200v power mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	78재고 상태	₩19,562.4 ₩11,091.6 ₩10,264.8 ₩9,968.4 ₩9,562.8	최소: 1 배수: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	41 A	97.5 mOhms	- 4 V, + 15 V	3.5 V	50.9 nC	- 55 C	+ 170 C	246 W	Enhancement
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SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS DMWSH120H90SM4 Diodes Incorporated 1: ₩19,562.4 87재고 상태	제조업체 부품 번호 DMWSH120H90SM4 Mouser 부품 번호 621-DMWSH120H90SM4	Diodes Incorporated	SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS Diodes Incorporated diodes inc dmwsh120hx 1200v power mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	87재고 상태	₩19,562.4 ₩11,091.6 ₩11,076 ₩9,968.4 ₩8,938.8	최소: 1 배수: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	40 A	97.5 mOhms	- 4 V, + 15 V	3.5 V	51.1 nC	- 55 C	+ 175 C	235 W	Enhancement
SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS DMWSH120H90SM4Q Diodes Incorporated 1: ₩24,133.2 60재고 상태	제조업체 부품 번호 DMWSH120H90SM4Q Mouser 부품 번호 621-DMWSH120H90SM4Q	Diodes Incorporated	SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS Diodes Incorporated diodes inc dmwsh120hx 1200v power mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	60재고 상태	₩24,133.2 ₩13,899.6	최소: 1 배수: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	40 A	97.5 mOhms	- 4 V, + 15 V	3.5 V	51.1 nC	- 55 C	+ 175 C	235 W	Enhancement
SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS DMWSH120H28SM3Q Diodes Incorporated 1: ₩60,278.4 120구매 가능한 공장 재고품	제조업체 부품 번호 DMWSH120H28SM3Q Mouser 부품 번호 621-DMWSH120H28SM3Q	Diodes Incorporated	SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS Diodes Incorporated diodes inc dmwsh120hx 1200v power mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	120구매 가능한 공장 재고품 추가 정보 있음	₩60,278.4 ₩39,436.8	최소: 1 배수: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	97.4 A	28.5 mOhms	- 8 V, + 19 V	3.6 V	175 nC	- 55 C	+ 175 C	405 W	Enhancement
SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 TUBE 50PCS DMWSH120H90SCT7 Diodes Incorporated 1: ₩16,052.4 100구매 가능한 공장 재고품	제조업체 부품 번호 DMWSH120H90SCT7 Mouser 부품 번호 621-DMWSH120H90SCT7	Diodes Incorporated	SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 TUBE 50PCS Diodes Incorporated diodes inc dmwsh120hx 1200v power mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	100구매 가능한 공장 재고품 추가 정보 있음	₩16,052.4 ₩10,545.6 ₩8,907.6 ₩8,486.4	최소: 1 배수: 1	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	38.2 A	90 mOhms	- 4 V, + 15 V	3.5 V	54.6 nC	- 55 C	+ 175 C	197 W	Enhancement

DMWSH120Hx 1 200 V N-채널 전력 MOSFET

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