STripFET II™ 전력 MOSFET

STMicroelectronics STripFET II™ 전력 MOSFET는 새로운 게이트 구조의 STMicroelectronics 독점 STripFET™ 기술의 혜택을 받는 강화 모드 MOSFET입니다. STripFET™ 전력 MOSFET는 높은 전류와 낮은 RDS(ON)을 제공합니다. 이 전력 MOSFET는 스위칭 게이트 전하가 매우 낮고, 애벌랜치 내구성이 높으며, 게이트 구동 전력 손실이 낮으며 및 전력 밀도가 높습니다. 이 STripFET™ 전력 MOSFET는 고효율 저전압 시스템을 위한 잘 정립된 평면 기술입니다.

결과: 4
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
자격
상표명
포장
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 330V 18A MOS STripFET II D2PAK
데이터시트
1,420재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 330 V 18 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 44 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 250 V 318 mOhm 8 A STripFET II
데이터시트
2,279재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 250 V 6 A 420 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 16 nC - 55 C + 175 C 72 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 300V 0.063Ohm 42A pwr MOSFET
데이터시트
2,324재고 상태
5,000예상 2027-03-26
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 300 V 42 A 63 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 90 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 24V 0.95mOhm 180A STripFET Mosfet
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 24 V 180 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 109 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel