STripFET II™ 전력 MOSFET

STMicroelectronics STripFET II™ 전력 MOSFET는 새로운 게이트 구조의 STMicroelectronics 독점 STripFET™ 기술의 혜택을 받는 강화 모드 MOSFET입니다. STripFET™ 전력 MOSFET는 높은 전류와 낮은 RDS(ON)을 제공합니다. 이 전력 MOSFET는 스위칭 게이트 전하가 매우 낮고, 애벌랜치 내구성이 높으며, 게이트 구동 전력 손실이 낮으며 및 전력 밀도가 높습니다. 이 STripFET™ 전력 MOSFET는 고효율 저전압 시스템을 위한 잘 정립된 평면 기술입니다.

결과: 4
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 자격 상표명 포장
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 330V 18A MOS STripFET II D2PAK 1,388재고 상태
컷 테이프
₩4,904
₩2,466.1
₩2,226.5
₩1,803.8
릴
₩1,662.9
최소: 1
배수: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 330 V 18 A 180 mOhms 20 V 2 V 44 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 250 V 318 mOhm 8 A STripFET II 874재고 상태
2,500예상 2027-07-16
컷 테이프
₩1,916.5
₩896.3
₩796.2
₩620
릴
₩500.3
최소: 1
배수: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 250 V 6 A 420 mOhms 20 V 2 V 16 nC - 55 C + 175 C 72 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 300V 0.063Ohm 42A pwr MOSFET 43재고 상태
13,000주문 중
₩6,299.1
₩3,790.7
₩3,170.7
₩2,747.9
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 300 V 42 A 63 mOhms 20 V 3 V 90 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 24V 0.95mOhm 180A STripFET Mosfet 비재고 리드 타임 16 주
릴
₩3,029.8
₩2,931.1
₩2,846.6
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 24 V 180 A 1.2 mOhms 20 V 1 V 109 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel