CoolSiC™ 650V G2 실리콘 카바이드 MOSFET

Infineon Technologies CoolSiC™ 650V G2 실리콘 카바이드 MOSFET은 실리콘 카바이드의 성능을 활용하여 에너지 손실을 낮추고 전력 변환 시 더 높은 효율을 제공합니다.Infineon CoolSiC 650V G2 MOSFET은 태양광, 에너지 저장, DC EV 충전, 모터 드라이버, 산업용 전원 공급 장치와 같은 다양한 전력 반도체 애플리케이션에 이점을 제공합니다.  CoolSiC G2가 장착된 전기 자동차용 DC 고속 충전소는 이전 세대보다 최대 10% 낮은 전력 손실을 실현하는 동시에 폼팩터를 유지한 상태에서 더 높은 충전 용량을 지원합니다.

결과: 53
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
데이터시트
246재고 상태
240예상 2026-08-20
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 26.6 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
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9재고 상태
720예상 2027-05-27
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 144 A 13.1 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 112 nC - 55 C + 175 C 440 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
데이터시트
21재고 상태
5,760주문 중
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 53 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
데이터시트
173재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 26.6 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
데이터시트
1,112재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 115 A 18 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 416 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
데이터시트
1,708재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,800

SMD/SMT TOLT-16 1 Channel 650 V 20 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
데이터시트
1,011재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,800

SMD/SMT TOLT-16 1 Channel 650 V 50 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
데이터시트
1,737재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,800

SMD/SMT TOLT-16 1 Channel 650 V 60 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
데이터시트
210재고 상태
480예상 2026-08-25
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 93 A 18 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
데이터시트
331재고 상태
240예상 2027-06-10
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 46 A 49 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 28 nC - 55 C + 175 C 172 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
데이터시트
874재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 38 A 62 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 153 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
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97재고 상태
1,800예상 2027-03-11
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 1,800

SMD/SMT TOLT-16 1 Channel 650 V 15 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
데이터시트
37재고 상태
1,800예상 2026-08-26
최소: 1
배수: 1
: 1,800

SMD/SMT TOLT-16 1 Channel 650 V 40 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
데이터시트
15재고 상태
1,920주문 중
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 83 A 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 273 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
데이터시트
230재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 38 A 62 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 153 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
데이터시트
5재고 상태
2,000예상 2026-10-29
최소: 1
배수: 1
: 2,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 40 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
데이터시트
22재고 상태
2,000예상 2026-09-14
최소: 1
배수: 1
: 2,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 50 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
데이터시트
10재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 60 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
데이터시트
17재고 상태
2,000예상 2026-09-03
최소: 1
배수: 1
: 2,000

SMD/SMT LHSOF-4 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 141 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2
데이터시트
18재고 상태
480주문 중
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 32.8 A 73 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
데이터시트
1,500주문 중
최소: 1
배수: 1
: 750

SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 196 A 8.5 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 179 nC - 55 C + 175 C 937 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
데이터시트
4,396주문 중
최소: 1
배수: 1
: 1,800

SMD/SMT 1 Channel 650 V 82 A 33 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 365 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
데이터시트
4,000예상 2027-08-05
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 2,000

SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 131 A 18 mOhms - 7 V to 23 V 4.5 V 148 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
데이터시트
3,972주문 중
최소: 1
배수: 1
: 2,000

SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 58.7 A 49 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 28 nC - 55 C + 175 C 277 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
데이터시트
1,920예상 2027-08-09
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 64 A 33 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC