CoolSiC™ 650V G2 실리콘 카바이드 MOSFET

Infineon Technologies CoolSiC™ 650V G2 실리콘 카바이드 MOSFET은 실리콘 카바이드의 성능을 활용하여 에너지 손실을 낮추고 전력 변환 시 더 높은 효율을 제공합니다.Infineon CoolSiC 650V G2 MOSFET은 태양광, 에너지 저장, DC EV 충전, 모터 드라이버, 산업용 전원 공급 장치와 같은 다양한 전력 반도체 애플리케이션에 이점을 제공합니다.  CoolSiC G2가 장착된 전기 자동차용 DC 고속 충전소는 이전 세대보다 최대 10% 낮은 전력 손실을 실현하는 동시에 폼팩터를 유지한 상태에서 더 높은 충전 용량을 지원합니다.

결과: 53
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일 패키지/케이스 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 상표명
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 1,490재고 상태
컷 테이프
₩53,336.4
₩39,826.8
₩38,578.8
₩35,583.6
릴
₩35,583.6
최소: 1
배수: 1
: 750
SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 196 A 8.5 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 179 nC - 55 C + 175 C 937 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 1,740재고 상태
컷 테이프
₩23,509.2
₩13,743.6
₩12,994.8
릴
₩12,994.8
최소: 1
배수: 1
: 2,000
SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 440 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m? 156재고 상태
1,000예상 2026-11-05
컷 테이프
₩38,516.4
₩25,896
₩25,880.4
릴
₩24,507.6
최소: 1
배수: 1
: 1,000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 158 A 13.1 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 112 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m? 708재고 상태
컷 테이프
₩21,933.6
₩12,558
릴
₩11,887.2
최소: 1
배수: 1
: 1,000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 68 A 33 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m? 280재고 상태
컷 테이프
₩20,295.6
₩12,183.6
₩11,918.4
₩11,200.8
릴
₩9,874.8
최소: 1
배수: 1
: 1,000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 58 A 41 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m? 416재고 상태
컷 테이프
₩13,026
₩7,410
₩6,817.2
₩6,536.4
릴
₩5,678.4
최소: 1
배수: 1
: 1,000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 34.9 A 73 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 18 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 788재고 상태
컷 테이프
₩11,372.4
₩6,084
₩5,569.2
₩5,288.4
릴
₩5,007.6
최소: 1
배수: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 28 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC + 175 C 124 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 741재고 상태
컷 테이프
₩29,780.4
₩18,642
₩18,283.2
릴
₩17,643.6
최소: 1
배수: 1
: 750
SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 94 A 18 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 499 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 469재고 상태
컷 테이프
₩25,755.6
₩15,475.2
₩14,632.8
릴
₩14,632.8
최소: 1
배수: 1
: 750
SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 97 A 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 394 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 804재고 상태
컷 테이프
₩10,218
₩5,413.2
₩4,945.2
₩4,336.8
릴
₩4,336.8
최소: 1
배수: 1
: 1,800
SMD/SMT HDSOP-16 1 Channel 650 V 34.7 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 146재고 상태
2,000예상 2027-07-08
컷 테이프
₩37,315.2
₩24,866.4
₩24,850.8
₩23,540.4
릴
₩23,540.4
최소: 1
배수: 1
: 2,000
SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 168 A 13.1 mOhms - 7V, + 23 V 4.5 V 113 nC - 55 C + 175 C 681 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 2,051재고 상태
2,000예상 2026-11-16
컷 테이프
₩18,174
₩10,171.2
₩9,828
₩9,297.6
릴
₩9,297.6
최소: 1
배수: 1
: 2,000
SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 2,848재고 상태
컷 테이프
₩11,497.2
₩7,768.8
₩5,647.2
₩5,366.4
₩5,023.2
릴
₩5,023.2
최소: 1
배수: 1
: 2,000
SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 41.4 A 73 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 208 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 685재고 상태
컷 테이프
₩10,436.4
₩5,553.6
₩5,070
₩4,461.6
릴
₩4,461.6
최소: 1
배수: 1
: 2,000
TOLL-8 650 V 75 mOhms
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2 1,958재고 상태
컷 테이프
₩19,422
₩13,166.4
₩12,058.8
₩10,966.8
₩10,576.8
릴
₩10,171.2
최소: 1
배수: 1
: 2,000
SMD/SMT PG-LHSOF-4 650 V 79 A 33 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V G2 1,658재고 상태
컷 테이프
₩16,894.8
₩9,391.2
₩8,923.2
₩8,439.6
릴
₩8,439.6
최소: 1
배수: 1
: 2,000
SMD/SMT PG-LHSOF-4 650 V 68 A 41 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 2,027재고 상태
컷 테이프
₩9,718.8
₩5,132.4
₩5,101.2
₩4,009.2
릴
₩4,009.2
최소: 1
배수: 1
: 2,000
SMD/SMT LHSOF-4 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 141 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 476재고 상태
₩13,213.2
₩7,066.8
₩6,505.2
₩5,616
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 26.6 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 10,334재고 상태
컷 테이프
₩22,760.4
₩13,182
₩12,464.4
릴
₩12,464.4
최소: 1
배수: 1
: 2,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 20 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 14재고 상태
3,750주문 중
컷 테이프
₩40,825.2
₩32,120.4
₩28,267.2
₩25,334.4
릴
₩25,334.4
최소: 1
배수: 1
: 750
SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 154 A 13.1 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 113 nC - 55 C + 175 C 651 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 21재고 상태
2,000예상 2027-04-29
컷 테이프
₩22,198.8
₩14,445.6
₩12,948
₩12,542.4
릴
₩11,185.2
최소: 1
배수: 1
: 2,000
SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 81 A 33 mOhms 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 365 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 39재고 상태
4,000예상 2027-05-06
컷 테이프
₩13,681.2
₩7,410
₩6,801.6
₩6,630
₩6,255.6
릴
₩5,850
최소: 1
배수: 1
: 2,000
SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 48.1 A 62 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 237 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 1,064재고 상태
컷 테이프
₩29,140.8
₩18,127.2
릴
₩17,160
최소: 1
배수: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 115 A 18 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 416 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 1,705재고 상태
컷 테이프
₩23,493.6
₩13,728
₩12,994.8
릴
₩12,994.8
최소: 1
배수: 1
: 1,800
SMD/SMT TOLT-16 1 Channel 650 V 20 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling 889재고 상태
1,800예상 2027-06-03
컷 테이프
₩17,768.4
₩9,937.2
₩9,547.2
₩9,032.4
릴
₩9,032.4
최소: 1
배수: 1
: 1,800
SMD/SMT 1 Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement CoolSiC