TKx 실리콘 N-채널 MOSFET

Toshiba TKx 실리콘 N-채널 MOSFET은 U-MOSX-H 및 DTMOSVI 유형으로 제공되고 탁월한 성능 특성을 제공합니다. 이 MOSFET은 빠른 역회복 시간을 갖도록 설계되어, 턴오프 상태와 턴온 상태 사이의 지연 시간을 줄이고 고속 스위칭 애플리케이션의 효율을 향상시킵니다. 낮은 드레인-소스 온 저항(RDS(on)은 전력 손실을 최소화하고 열 관리를 개선하여, 낮은 에너지 소모로 높은 전류 처리가 필요한 애플리케이션에 이상적입니다.

결과: 20
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 상표명 포장
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ 50재고 상태
₩6,739.2
₩4,414.8
₩3,291.6
₩2,761.2
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 125 mOhms 30 V 4 V 28 nC + 150 C 40 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ 2,000재고 상태
컷 테이프
₩12,230.4
₩8,174.4
₩6,567.6
₩5,834.4
₩5,179.2
릴
₩5,179.2
최소: 1
배수: 1
: 2,000
Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 95 mOhms 30 V 4.5 V 50 nC + 150 C 230 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=176W F=1MHZ 1,961재고 상태
컷 테이프
₩7,846.8
₩5,148
₩3,837.6
₩3,213.6
₩2,979.6
릴
₩2,792.4
최소: 1
배수: 1
: 2,000
Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 99 mOhms 30 V 4 V 36 nC + 150 C 176 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247 PD=242W F=1MHZ 53재고 상태
₩12,355.2
₩8,268
₩6,645.6
₩5,912.4
₩5,241.6
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 63 mOhms 30 V 4 V 56 nC + 150 C 242 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET 600V Silicon N-Channel MOS (DTMOS) MOSFET 1,960재고 상태
컷 테이프
₩9,204
₩6,021.6
₩4,430.4
₩3,946.8
₩3,494.4
릴
₩3,494.4
최소: 1
배수: 1
: 2,000
Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 80 mOhms 30 V 4 V 43 nC + 150 C 211 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ 1,986재고 상태
컷 테이프
₩6,754.8
₩4,414.8
₩3,291.6
₩2,761.2
₩2,558.4
릴
₩2,402.4
최소: 1
배수: 1
: 2,000
Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 125 mOhms 30 V 4 V 28 nC + 150 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ 1,974재고 상태
컷 테이프
₩6,037.2
₩3,946.8
₩2,870.4
₩2,402.4
₩2,230.8
릴
₩2,090.4
최소: 1
배수: 1
: 2,000
Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 17 A 155 mOhms 30 V 4 V 24 nC + 150 C 130 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET TO220 150V 2.2A N-CH 750재고 상태
₩10,140
₩5,553.6
₩5,085.6
₩4,773.6
₩4,243.2
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 120 A 4.9 mOhms 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO220 150V 2.2A N-CH 335재고 상태
₩8,767.2
₩5,116.8
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 76 A 5 mOhms 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO220 150V 1.4A N-CH 294재고 상태
₩6,926.4
₩3,541.2
₩3,198
₩2,574
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 57 A 7.4 mOhms 20 V 4.5 V 66 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO220 150V 1.1A N-CH 187재고 상태
₩5,850
₩3,806.4
₩2,667.6
₩2,230.8
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 49 A 9.7 mOhms 20 V 4.5 V 50 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO247 650V 1.69A N-CH 85재고 상태
60예상 2026-12-02
₩16,036.8
₩8,673.6
₩8,002.8
₩7,893.6
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 37 A 68 mOhms 30 V 4.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ 143재고 상태
₩6,037.2
₩3,946.8
₩2,870.4
₩2,402.4
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 17 A 155 mOhms 30 V 4 V 24 nC + 150 C 40 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO220 150V 1.4A N-CH 350재고 상태
₩6,848.4
₩3,510
₩3,166.8
₩2,589.6
₩2,527.2
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 84 A 7.2 mOhms 20 V 4.5 V 66 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO220 150V 1.1A N-CH 224재고 상태
₩6,084
₩3,120
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 52 A 9.6 mOhms 20 V 4.5 V 50 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ 9재고 상태
100예상 2027-01-15
₩10,483.2
₩5,475.6
₩5,101.2
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 80 mOhms 30 V 4 V 43 nC + 150 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247 PD=176W F=1MHZ 20재고 상태
₩9,531.6
₩6,240
₩4,602
₩4,087.2
₩3,619.2
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 99 mOhms 30 V 36 nC + 150 C 176 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel 8재고 상태
₩13,462.8
₩7,316.4
₩6,708
₩6,255.6
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 80 mOhms 30 V 3 V 115 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFET MOSFET NChtrr130ns 0.08ohm DTMOS 9재고 상태
₩14,913.6
₩10,389.6
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 80 mOhms 30 V 4.5 V 115 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR DFN 8x8 PD=240W F=1MHZ 비재고 리드 타임 16 주
릴
₩4,118.4
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000
Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 650 V 27.6 A 140 mOhms 30 V 3 V 90 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement DTMOSIV Reel