UF3C SiC FETs

onsemi UF3C High-Performance SiC FETs are cascode Silicon Carbide (SiC) products that co-package high-performance G3 SiC JFETs with a cascode-optimized Si MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. This series exhibits ultra-low gate charge and is excellent for switching inductive loads and applications requiring a standard gate drive. The onsemi UF3C SiC FETs are available in 650V, 1200V, and 1700V versions and are offered in D2PAK-3, D2PAK-7, D2PAK-7L, TO-247-3L, TO-247-4L, and TO-220-3L packages.

결과: 23
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일 패키지/케이스 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 자격 상표명
onsemi SiC MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO247-4 3,275재고 상태
₩30,888
₩18,486
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 54 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 43 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/150MOSICFETG3TO263-7 357재고 상태
컷 테이프
₩19,921.2
₩11,434.8
₩10,530
₩9,968.4
₩9,968.4
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 17 A 150 mOhms - 25 V, + 25 V 4.4 V 25.7 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO247-4 583재고 상태
₩20,124
₩11,294.4
₩10,467.6
₩10,077.6
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO247-3 1,142재고 상태
₩33,009.6
₩19,843.2
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO247-3 639재고 상태
₩19,562.4
₩10,998
₩10,186.8
₩9,765.6
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO220-3 902재고 상태
₩40,029.6
₩25,740
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 5 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO247-3 1,166재고 상태
₩30,435.6
₩17,893.2
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 54 A 42 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/40MOSICFETG3TO247-4 623재고 상태
₩46,035.6
₩30,560.4
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/40MOSICFETG3TO24 227재고 상태
₩45,832.8
₩34,210.8
₩30,654
₩30,560.4
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO220-3 466재고 상태
₩18,283.2
₩10,779.6
₩9,952.8
₩9,157.2
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO263-3 1,251재고 상태
컷 테이프
₩17,940
₩10,592.4
₩9,625.2
₩8,970
₩8,970
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) 1 Channel 650 V 25 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO263-7 199재고 상태
컷 테이프
₩21,028.8
₩12,214.8
₩11,388
₩10,779.6
₩10,779.6
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 27 A 85 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23 nC - 55 C + 175 C 136.4 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/400MOSICFETG3TO263-7 676재고 상태
800예상 2026-11-23
컷 테이프
₩14,430
₩7,909.2
₩7,269.6
₩6,864
₩6,864
최소: 1
배수: 1
최대: 800
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 5.9 A 410 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 22.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1700V/400MOSICFETG3TO263-7 40재고 상태
1,600주문 중
컷 테이프
₩18,158.4
₩12,838.8
₩9,531.6
₩9,016.8
₩9,016.8
최소: 1
배수: 1
최대: 800
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.7 kV 7.6 A 410 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23.1 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO263-7 615재고 상태
컷 테이프
₩29,998.8
₩18,813.6
₩17,815.2
₩17,815.2
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 28.8 A 85 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO247-4 639재고 상태
₩33,040.8
₩20,155.2
최소: 1
배수: 1
최대: 600
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1700V/400MOSICFETG3TO247-3 477재고 상태
600예상 2026-11-16
₩18,470.4
₩10,420.8
₩9,625.2
₩9,141.6
최소: 1
배수: 1
최대: 600
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.7 kV 7.6 A 1.07 Ohms - 25 V, + 25 V 6 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/150MOSICFETG3TO247-4 62재고 상태
₩21,777.6
₩12,168
₩11,778
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 18.4 A 330 mOhms - 25 V, + 25 V 3.5 V 25.7 nC - 55 C + 175 C 166.7 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO247-4
1,200예상 2027-02-19
₩42,244.8
₩33,820.8
₩29,250
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO220-3
1,000예상 2026-12-21
₩30,498
₩18,189.6
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 54 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/400MOSICFETG3TO247-3
300예상 2027-03-08
₩17,238
₩9,391.2
₩8,673.6
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 7.6 A 1.07 Ohms - 25 V, + 25 V 6 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO247-3 리드 타임 32 주
₩42,135.6
₩25,896
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO263-3 비재고 리드 타임 53 주
컷 테이프
₩39,421.2
₩26,660.4
₩26,660.4
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) 1 Channel 650 V 65 A 27 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 25 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET