8 bit 4 Gbit 반도체

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수량 RoHS
Macronix NAND 플래시 SLC NAND 3V 4Gbit x8 TSOP-48 4Bit ECC
데이터시트
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배수: 96
Macronix NAND 플래시 SLC NAND 3V 4Gbit x8 TSOP-48 4Bit ECC
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
Macronix NAND 플래시 SLC NAND 3V 4Gbit x8 BGA-63 4Bit ECC
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,200
배수: 220
Macronix NAND 플래시 SLC NAND 3V 4Gbit x8 BGA-63 4Bit ECC
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000
Macronix NAND 플래시 SLC NAND 3V 4Gbit x8 TSOP-48 8Bit ECC
데이터시트
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최소: 960
배수: 96
Macronix NAND 플래시 SLC NAND 3V 4Gbit x8 TSOP-48 8Bit ECC
데이터시트
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최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
Macronix NAND 플래시 SLC NAND 3V 4Gbit x8 TSOP-48 8Bit ECC
데이터시트
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최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
Macronix NAND 플래시 SLC NAND 3V 4Gbit x8 BGA-63 8Bit ECC
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최소: 2,200
배수: 220
Macronix NAND 플래시 SLC NAND 1.8V 4Gbit x8 TSOP-48 4Bit ECC
데이터시트
비재고 리드 타임 53 주
최소: 960
배수: 96
Macronix NAND 플래시 SLC NAND 1.8V 4Gbit x8 TSOP-48 4Bit ECC
데이터시트
비재고 리드 타임 53 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
Macronix NAND 플래시 SLC NAND 1.8V 4Gbit x8 BGA-63 4Bit ECC
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,200
배수: 220
Macronix NAND 플래시 SLC NAND 1.8V 4Gbit x8 BGA-63 4Bit ECC
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최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000
Macronix NAND 플래시 SLC NAND 1.8V 4Gbit x8 BGA-63 4Bit ECC +105C 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,200
배수: 220
Macronix NAND 플래시 SLC NAND 1.8V 4Gbit x8 BGA-63 4Bit ECC +105C 비재고 리드 타임 52 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000
Macronix NAND 플래시 SLC NAND 1.8V 4Gbit x8 BGA-63 8Bit ECC
데이터시트
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최소: 2,200
배수: 220
Macronix NAND 플래시 SLC NAND 1.8V 4Gbit x8 BGA-63 8Bit ECC
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비재고 리드 타임 52 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000
Macronix NAND 플래시 SLC NAND 1.8V 4Gbit x8 TSOP-48 8Bit ECC
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비재고 리드 타임 52 주
최소: 960
배수: 96
Macronix NAND 플래시 SLC NAND 1.8V 4Gbit x8 TSOP-48 8Bit ECC
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
Macronix NAND 플래시 SLC NAND 1.8V 4Gbit x8 BGA-63 8Bit ECC
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 512Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,420
배수: 2,420

Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 512Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78, Ind. Temp.
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,420
배수: 2,420

Zentel Japan DRAM DDR3 4Gb, 512Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,420
배수: 2,420

Zentel Japan DRAM DDR3 4Gb, 512Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78, Ind. Temp.
데이터시트
비재고 리드 타임 28 주
최소: 2,420
배수: 2,420

Zentel Japan DRAM DDR3L 4Gb, 512Mx8, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-78
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,420
배수: 2,420

ISSI NAND 플래시 4Gb (x8, 4bit ECC), TSOP-48, 3V, RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500