AP64351Q 설계 장치는 EMI(전자파 간섭)를 줄이도록 최적화 되었습니다. 이 장치는 MOSFET 턴 온 및 턴 오프 시간을 희생하지 않고 스위칭 노드 링잉을 방지하는 독점 게이트 드라이버 방식을 갖추고 있어 MOSFET 스위칭으로 인한 고주파 방사 EMI 잡음을 줄입니다. AP64351Q는 스위칭 주파수 지터가 ±6%인 FSS (Frequency Spread Spectrum)를 제공하며, 방출된 에너지가 어느 주파수에서 상당한 시간 동안 머무르지 못하게 함으로써 EMI를 줄입니다.
특징
- 다음의 결과로 AEC-Q100 인증 획득
- 장치 온도 1등급: -40~+125°C, TA 범위
- 장치 HBM ESD 분류 레벨 H2
- 장치 CDM ESD 분류 레벨 C5
- 3.8 V~40 V VIN
- 3.5 A 연속 출력 전류
- 기준 전압: 0.8V±1%
- 낮은 대기 전류(펄스 주파수 변조): 22µA
- 스위칭 주파수: 570kHz
- 프로그래밍 가능한 소프트 스타트 시간
- 5mA의 경부하에서 최대 85% 효율
- 최고의 EMI 감소를 위한 고유한 게이트 드라이버 설계
- FSS(주파수 확장 스펙트럼)으로 EMI 감소
- LDO(로우 드롭아웃) 모드
- UVLO를 조정하기 위한 정밀도 활성화 임계값
- 보호 회로
- UVLO(부족전압 록아웃)
- 출력 OVP(과전압 보호)
- 사이클 바이 사이클 피크 전류 제한
- 과열 시 셧다운
- 무연 및 RoHS 규격 완전 준수
- 무할로겐 및 무안티몬 "친환경" 장치
- AP64351Q는 특정한 변경 제어가 필요한 자동차 애플리케이션에 적합함
- 부품은 AEC-Q100 인증을 받음
- PPAP 가능
- IATF 16949 인증 시설에서 제조
애플리케이션
- 12V 자동차 전원 시스템
- 자동차 인포테인먼트
- 자동차 계기판
- 자동차 텔레매틱스
- ADAS(첨단 운전자 보조 시스템)
기능 블록 선도
게시일: 2020-06-30
| 갱신일: 2024-08-05

