Cypress Semiconductor 직렬 F-RAM 비휘발성 메모리
Cypress Semiconductor의 직렬 F-RAM(강유전체 RAM) 메모리는 ROM의 비휘발성 데이터 저장 능력과 RAM의 빠른 속도가 결합된 제품입니다. 직렬 F-RAM은 SPI 및 I2C 인터페이스, 산업 표준 패키지, 4KB~4MB 범위의 밀도 등 다양한 인터페이스와 밀도 옵션을 제공합니다. Cypress의 직렬 F-RAM은 기존 비휘발성 메모리 기술에 비해 (1) 빠른 쓰기 속도 (2) 극히 높은 내구성 (3) 낮은 소비전력 등 3가지 장점을 갖췄습니다. 직렬 F-RAM은 최대 100조 주기의 내구성을 제공하며, 이는 EEPROM의 1백만 쓰기 주기 제한을 상회합니다. 이 덕분에 제품 수명 기간 동안 웨어 레벨링이 필요 없습니다.
이 장치는 강유전체 물질로 만들어져 있으며, 이 물질은 방사능 및 자기장 노출에 대해 강한 내성을 갖췄습니다. 이로 인해 소프트 오류율에 대한 내성을 가지므로 MRAM을 대체하는 훌륭한 대안입니다. 이 F-RAM 장치는 일반적으로 스마트 계량기, 자동차 전자 장치, 산업 제어 및 자동화 장비, 다기능 프린터 및 휴대용 의료 장치 등 핵심 업무 애플리케이션에 사용됩니다.