AS6C4008 시리즈 SRAM

결과: 8
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기 조직 액세스 시간 인터페이스 타입 공급 전압 - 최대 공급 전압 - 최소 공급 전류 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 장착 스타일 패키지/케이스 포장
Alliance Memory SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM 312재고 상태
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 512 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 60 mA - 40 C + 85 C Through Hole PDIP-32 Tube
Alliance Memory SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM 646재고 상태
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 512 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 60 mA 0 C + 70 C Through Hole PDIP-32 Tube
Alliance Memory SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

4 Mbit 512 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Reel
Alliance Memory SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

4 Mbit 512 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-32 Reel
Alliance Memory SRAM 4M 512Kx8 70ns 2.7-5.5V Asynch AT 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

4 Mbit 512 k x 8 70 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 50 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT SOP-32 Reel
Alliance Memory SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
4 Mbit 512 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT sTSOP-32 Reel
Alliance Memory SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM 비재고 리드 타임 16 주
최소: 480
배수: 480

4 Mbit 512 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-36 Tray
Alliance Memory SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

4 Mbit 512 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-36 Reel