71V416L12 시리즈 SRAM

결과: 7
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기
조직
액세스 시간
인터페이스 타입
공급 전압 - 최대
공급 전압 - 최소
공급 전류 - 최대
최저 작동온도
최고 작동온도
장착 스타일
패키지/케이스
포장
Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
데이터시트
779재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 2,000

4 Mbit 256 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 170 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT CABGA-48 Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
데이터시트
326재고 상태
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 256 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 170 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000

4 Mbit 256 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 170 mA 0 C + 70 C SMD/SMT CABGA-48 Reel
Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 250
배수: 250

4 Mbit 256 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 170 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT CABGA-48 Tray
Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 135
배수: 135

4 Mbit 256 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 170 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 1,500
배수: 1,500
릴: 1,500

4 Mbit 256 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 170 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 250
배수: 250
없음
4 Mbit 256 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 170 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT CABGA-48 Tray