64 Mbit SRAM

결과: 27
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Infineon Technologies SRAM 64Mb 3V 55ns 4M x 16 LP SRAM 269재고 상태
최소: 1
배수: 1

64 Mbit 4 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 9 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-48 Tray
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 4,255재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 491
: 2,500

64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI SRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 513재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 7

64 Mbit 8 M x 8 200 MHz Serial 1.95 V 1.7 V - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-24 Tray
ISSI SRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 575재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

64 Mbit 8 M x 8 166 MHz Serial 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-24 Tray
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns A-Temp 254재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 12

64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray
ISSI IS66WVE4M16EALL-70BLI
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM Asynch/Pg 4Mx16 55ns 867재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 6

64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray
Renesas Electronics SRAM SRAM 64MB ADV. 3V TSOP52 55NS -40TO85C 256재고 상태
최소: 1
배수: 1

64 Mbit 4 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 38 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray
Renesas Electronics SRAM SRAM 64MB ADV. 3V BGA48 55NS -40TO85C 100재고 상태
506예상 2026-04-30
최소: 1
배수: 1

64 Mbit 4 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 38 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray
Renesas Electronics SRAM SRAM 64MB ADV. 3V TSOP48 55NS -40TO85C 59재고 상태
최소: 1
배수: 1

64 Mbit 4 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 38 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-I-48 Tray
Infineon Technologies CY62187G30-55BAXI
Infineon Technologies SRAM ASYNC 283재고 상태
최소: 1
배수: 1

64 Mbit 4 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 55 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 738재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 719

64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray
ISSI SRAM Pseudo SRAM 64Mb 1,904재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 127

64 Mbit 4 M x 16 70 ns 104 MHz 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-54
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 2,972재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 38
: 2,500

64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel, Cut Tape, MouseReel
Alliance Memory SRAM 64M 3V 55ns Low Power 4096k x 16 191재고 상태
최소: 1
배수: 1

64 Mbit 4 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Tray
Alliance Memory SRAM 64M 3V 4048k x 16 LP Asynch SRAM IT 226재고 상태
최소: 1
배수: 1

64 Mbit 4 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-48 Tray
ISSI IS66WVE4M16ECLL-70BLI
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns 557재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Reel
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 283재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 16

64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48
ISSI SRAM Pseudo SRAM, 64Mb 4Mb x16bits, CLL 240재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 36

64 Mbit 4 M x 16 70 ns 104 MHz 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-54
Infineon Technologies SRAM 64Mb 3V 55ns 4M x 16 LP SRAM 비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

64 Mbit 4 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 55 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-48 Reel
ISSI SRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

64 Mbit 8 M x 8 200 MHz Serial 1.95 V 1.7 V - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-24 Reel
ISSI SRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

64 Mbit 8 M x 8 166 MHz Serial - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-24 Reel
Alliance Memory SRAM 64M 3V 55ns Low Power 4048k x 16 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

64 Mbit 4 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Reel
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns A-Temp 재고 없음
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel
Alliance Memory SRAM 64M 3V 4048k x 16 LP Asynch SRAM IT 비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

64 Mbit 4 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-48 Reel
ISSI IS66WVE4M16EALL-70BLI-TR
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 1.7V 1.95V, VDDQ 1.7V 1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Reel