100 MHz SRAM

결과: 29
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기 조직 액세스 시간 최대 클록 주파수 인터페이스 타입 공급 전압 - 최대 공급 전압 - 최소 공급 전류 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 장착 스타일 패키지/케이스 포장
Infineon Technologies SRAM SYNC SRAMS 180재고 상태
최소: 1
배수: 1

18 Mbit 512 k x 36 8.5 ns 100 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 134 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM SYNC SRAMS 100재고 상태
최소: 1
배수: 1

18 Mbit 512 k x 36 8.5 ns 100 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 134 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 9Mb, 100Mhz 256K x 36 Sync SRAM 262재고 상태
최소: 1
배수: 1

9 Mbit 256 k x 36 8.5 ns 100 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 180 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies CY7C1381KV33-100BZXI
Infineon Technologies SRAM SYNC SRAMS 192재고 상태
최소: 1
배수: 1

18 Mbit 512 k x 36 8.5 ns 100 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 134 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray
Infineon Technologies CY7C1381KV33-100AXC
Infineon Technologies SRAM SYNC SRAMS 447재고 상태
최소: 1
배수: 1

18 Mbit 512 k x 36 8.5 ns 100 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 134 mA 0 C + 70 C SMD/SMT Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 18 4M 재고 없음
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 256 k x 18 12 ns 100 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 110 mA, 110 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 18 4M 재고 없음
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 256 k x 18 12 ns 100 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 130 mA, 130 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M 재고 없음
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 128 k x 36 12 ns 100 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 110 mA, 120 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M 재고 없음
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 128 k x 36 12 ns 100 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 130 mA, 140 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 18 4M 재고 없음
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 256 k x 18 12 ns 100 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 110 mA, 110 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 18 4M 재고 없음
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 256 k x 18 12 ns 100 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 130 mA, 130 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M 재고 없음
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 128 k x 36 12 ns 100 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 110 mA, 120 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M 재고 없음
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 128 k x 36 12 ns 100 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 130 mA, 140 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 18 4M 재고 없음
최소: 1
배수: 1
4 Mbit 256 k x 18 12 ns 100 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 110 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 18 4M 재고 없음
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 256 k x 18 12 ns 100 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 110 mA, 110 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 18 4M 재고 없음
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 256 k x 18 12 ns 100 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 130 mA, 130 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M 재고 없음
최소: 1
배수: 1
4 Mbit 128 k x 36 12 ns 100 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 110 mA, 120 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M 재고 없음
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 128 k x 36 12 ns 100 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 110 mA, 120 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M 재고 없음
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 128 k x 36 12 ns 100 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 130 mA, 140 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
Renesas Electronics SRAM 9M ZBT SLOW X36 P/L 3.3V 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1
배수: 1

9 Mbit 256 k x 36 10 ns 100 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 250 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Renesas Electronics SRAM 9M ZBT SLOW X36 P/L 3.3V 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

9 Mbit 256 k x 36 10 ns 100 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 250 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
Renesas Electronics SRAM 4M X36 3.3V I/O SLOW ZBT 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1
배수: 1
없음
4 Mbit 128 k x 36 5 ns 100 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 255 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT CABGA-165 Tray
Renesas Electronics SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V FLOW-THROUGH SRAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 168
배수: 84
없음
4 Mbit 128 k x 36 8 ns 100 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT PBGA-119 Tray
Renesas Electronics SRAM 9M 3.3V PBSRAM SLOW F/T 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1
배수: 1

9 Mbit 256 k x 36 8 ns 100 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology GS842Z18CB-100I
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 18 4M 재고 없음
최소: 1
배수: 1
4 Mbit 256 k x 18 12 ns 100 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 130 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray