SRAM – Mouser 대한민국

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Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.

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결과: 39

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부품 번호

SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns A-Temp

IS67WVE4M16EBLL-70BLA1-TR
ISSI
2,500: ₩5,920
재고 없음

제조업체 부품 번호
IS67WVE4M16EBLL-70BLA1-TR

Mouser 부품 번호
870-7WVE416EBLL70B1T

ISSI

SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns A-Temp

ISSI pseudo sram 에 대해

데이터시트

재고 없음

릴

₩5,920

최소: 2,500
배수: 2,500

릴: 2,500

64 Mbit

4 M x 16

70 ns

Parallel

3.6 V

2.7 V

30 mA

- 40 C

+ 85 C

SMD/SMT

TFBGA-48

Reel

SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 1.7V-1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

IS66WVE2M16EALL-70BLI-TR
ISSI
2,500: ₩6,630.4
비재고 리드 타임 14 주

제조업체 부품 번호
IS66WVE2M16EALL-70BLI-TR

Mouser 부품 번호
870-E2M16EALL70BLIT

ISSI

SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 1.7V-1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

ISSI pseudo sram 에 대해

데이터시트

비재고 리드 타임 14 주

릴

₩6,630.4

최소: 2,500
배수: 2,500

릴: 2,500

Reel

SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,1.7v-1.95v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS

IS66WV51216EALL-70BLI
ISSI
480: ₩4,780.4
비재고 리드 타임 14 주

제조업체 부품 번호
IS66WV51216EALL-70BLI

Mouser 부품 번호
870-S66WV51216EA70BI

ISSI

SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,1.7v-1.95v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS

ISSI pseudo sram 에 대해

데이터시트

비재고 리드 타임 14 주

₩4,780.4

₩4,750.8

₩4,543.6

최소: 480
배수: 480

8 Mbit

512 k x 16

70 ns

Parallel

1.95 V

1.7 V

25 mA

- 40 C

+ 85 C

SMD/SMT

BGA-48

SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Async,1M x 16,70ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA, RoHS

IS66WV1M16EBLL-70BLI-TR
ISSI
2,500: ₩4,824.8
비재고 리드 타임 14 주

제조업체 부품 번호
IS66WV1M16EBLL-70BLI-TR

Mouser 부품 번호
870-WV1M16EBLL70BLIT

ISSI

SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Async,1M x 16,70ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA, RoHS

ISSI pseudo sram 에 대해

데이터시트

비재고 리드 타임 14 주

릴

₩4,824.8

최소: 2,500
배수: 2,500

릴: 2,500

Reel

SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Async,1M x 16,55ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA, RoHS

IS66WV1M16EBLL-55BLI
ISSI
1: ₩6,985.6
비재고 리드 타임 14 주

제조업체 부품 번호
IS66WV1M16EBLL-55BLI

Mouser 부품 번호
870-1M16EBLL55BLI

ISSI

SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Async,1M x 16,55ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA, RoHS

ISSI pseudo sram 에 대해

데이터시트

비재고 리드 타임 14 주

₩6,985.6

₩6,423.2

₩6,245.6

₩6,097.6

보기

최소: 1
배수: 1

SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Async,1M x 16,55ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA, RoHS

IS66WV1M16EBLL-55BLI-TR
ISSI
2,500: ₩5,298.4
비재고 리드 타임 14 주

제조업체 부품 번호
IS66WV1M16EBLL-55BLI-TR

Mouser 부품 번호
870-1M16EBLL55BLIT

ISSI

SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Async,1M x 16,55ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA, RoHS

ISSI pseudo sram 에 대해

데이터시트

비재고 리드 타임 14 주

릴

₩5,298.4

최소: 2,500
배수: 2,500

릴: 2,500

Reel

SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

IS66WVE2M16TCLL-70BLI-TR
ISSI
2,500: ₩5,698
비재고 리드 타임 14 주

제조업체 부품 번호
IS66WVE2M16TCLL-70BLI-TR

Mouser 부품 번호
870-66E2M16TCL70BLIT

ISSI

SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

ISSI pseudo sram 에 대해

데이터시트

비재고 리드 타임 14 주

릴

₩5,698

최소: 2,500
배수: 2,500

릴: 2,500

Reel

SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

IS66WVE2M16TCLL-70BLI
ISSI
480: ₩6,038.4
비재고 리드 타임 14 주

제조업체 부품 번호
IS66WVE2M16TCLL-70BLI

Mouser 부품 번호
870-66E2M16TCLL70BLI

ISSI

SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

ISSI pseudo sram 에 대해

데이터시트

비재고 리드 타임 14 주

₩6,038.4

₩5,994

₩5,698

최소: 480
배수: 480

SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,55ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

IS66WVE2M16ECLL-70BLI-TR
ISSI
2,500: ₩5,698
비재고 리드 타임 14 주

제조업체 부품 번호
IS66WVE2M16ECLL-70BLI-TR

Mouser 부품 번호
870-66WVE2ECLL70BLIT

ISSI

SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,55ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

ISSI pseudo sram 에 대해

데이터시트

비재고 리드 타임 14 주

릴

₩5,698

최소: 2,500
배수: 2,500

릴: 2,500

Reel

SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

IS66WVE4M16ECLL-70BLI-TR
ISSI
2,500: ₩7,326
비재고 리드 타임 14 주

제조업체 부품 번호
IS66WVE4M16ECLL-70BLI-TR

Mouser 부품 번호
870-66WVE4ECLL70BLIT

ISSI

SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

ISSI pseudo sram 에 대해

데이터시트

비재고 리드 타임 14 주

릴

₩7,326

최소: 2,500
배수: 2,500

릴: 2,500

Reel

SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 1.7V-1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

IS66WVE4M16EALL-70BLI-TR
ISSI
2,500: ₩7,326
비재고 리드 타임 14 주

제조업체 부품 번호
IS66WVE4M16EALL-70BLI-TR

Mouser 부품 번호
870-66WVEMEALL70BLIT

ISSI

SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 1.7V-1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

ISSI pseudo sram 에 대해

데이터시트

비재고 리드 타임 14 주

릴

₩7,326

최소: 2,500
배수: 2,500

릴: 2,500

64 Mbit

4 M x 16

70 ns

Parallel

1.95 V

1.7 V

30 mA

- 40 C

+ 85 C

SMD/SMT

Reel

SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

IS66WVC2M16EALL-7010BLI-TR
ISSI
2,500: ₩5,698
비재고 리드 타임 14 주

제조업체 부품 번호
IS66WVC2M16EALL-7010BLI-TR

Mouser 부품 번호
870-C2M16EAL7010BLIT

ISSI

SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

ISSI pseudo sram 에 대해

데이터시트

비재고 리드 타임 14 주

릴

₩5,698

최소: 2,500
배수: 2,500

릴: 2,500

Reel

SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

IS66WVC2M16EALL-7010BLI
ISSI
480: ₩6,038.4
비재고 리드 타임 14 주

제조업체 부품 번호
IS66WVC2M16EALL-7010BLI

Mouser 부품 번호
870-VC2M16EAL7010BLI

ISSI

SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

ISSI pseudo sram 에 대해

데이터시트

비재고 리드 타임 14 주

₩6,038.4

₩5,994

₩5,698

최소: 480
배수: 480

32 Mbit

2 M x 16

70 ns

Parallel

1.95 V

1.7 V

30 mA

- 40 C

+ 85 C

SMD/SMT

SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5, 2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

IS66WVC2M16ECLL-7010BLI-TR
ISSI
2,500: ₩6,630.4
비재고 리드 타임 14 주

제조업체 부품 번호
IS66WVC2M16ECLL-7010BLI-TR

Mouser 부품 번호
870-WVC2M16E7010BLIT

ISSI

SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5, 2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

ISSI pseudo sram 에 대해

데이터시트

비재고 리드 타임 14 주

릴

₩6,630.4

최소: 2,500
배수: 2,500

릴: 2,500

Reel

Pseudo SRAM/CellularRAM

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