Infineon SRAM

결과: 674
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Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 1.8v 400MHz QDR II SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 272
배수: 272

72 Mbit 2 M x 36 450 ps 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 1.8v 400MHz QDR II SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 136
배수: 136

72 Mbit 2 M x 36 450 ps 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1 A - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 1.8v 500MHz QDR II SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,360
배수: 1,360

72 Mbit 2 M x 36 450 ps 500 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.21 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 1.8v 550MHz DDR II SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,360
배수: 1,360

72 Mbit 2 M x 36 450 ps 550 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.31 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (4Mx18) 2.9v 550MHz DDR II SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 680
배수: 680

72 Mbit 4 M x 18 450 ps 550 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 760 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 1.8v 550MHz DDR II SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 680
배수: 680

72 Mbit 2 M x 36 450 ps 550 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 970 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 1Mb 3V 45ns 64K x 16 LP SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1

1 Mbit 64 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 16 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
Infineon Technologies SRAM 1Mb 3V 45ns 64K x 16 LP SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1
: 1,000

1 Mbit 64 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 16 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies SRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 LP SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1
: 1,000

4 Mbit 256 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies SRAM 32Mb, 1.8V, 70ns MoBL SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

32 Mbit 4 M x 8/2 M x 16 70 ns Parallel 2.25 V 1.65 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 32Mb 3.3V 12ns 2Mx16 Fast Async SRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

32 Mbit 2 M x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 250 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 72Mb 2.5V 250Mhz 2Mx36 Pipelined SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 144
배수: 144

72 Mbit 2 M x 36 3 ns 250 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 250MHz SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 210
배수: 210

72 Mbit 2 M x 36 3 ns 250 MHz Parallel 3.63 V 3.14 V 500 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72Mb (8Mx9) 1.8v 250Mhz QDR II SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

72 Mbit 8 M x 9 450 ps 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 640 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Reel
Infineon Technologies SRAM 144Mb 1.8V 250Mhz 8M x 18 QDR II SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 525
배수: 525

144 Mbit 8 M x 18 450 ps 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 800 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144Mb 1.8V 300Mhz 8M x 18 QDR II SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 525
배수: 525

144 Mbit 8 M x 18 450 ps 300 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 710 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144Mb 1.8V 333Mhz 8M x 18 QDR II SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 525
배수: 525

144 Mbit 8 M x 18 450 ps 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 760 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144Mb 1.8V 333Mhz 4M x 36 QDR II SRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 525
배수: 525

144 Mbit 4 M x 36 450 ps 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.01 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144Mb 1.8V 333Mhz 8M x 18 DDR II SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 525
배수: 525

144 Mbit 8 M x 18 450 ps 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 650 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144Mb, 1.8v, 360Mhz (8Mx18) QDR II SRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 525
배수: 525

144 Mbit 8 M x 18 450 ps 360 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.025 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144Mb 1.8V 333Mhz 16M x 9 QDR II SRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 525
배수: 525

144 Mbit 16 M x 9 450 ps 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 950 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144Mb 1.8V 400Mhz 4M x 36 QDR II SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 210
배수: 210

144 Mbit 4 M x 36 450 ps 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.17 A - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144Mb 1.8V 450Mhz 4M x 36 QDR II SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 105
배수: 105

144 Mbit 4 M x 36 450 ps 450 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.29 A - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144Mb 1.8V 550Mhz 8M x 18 QDR II SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 210
배수: 210

144 Mbit 8 M x 18 450 ps 550 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.09 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144Mb 1.8V 550Mhz 4M x 36 QDR II SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 525
배수: 525

144 Mbit 4 M x 36 450 ps 550 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.52 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray