Parallel TFBGA-48 3.6 V SRAM

결과: 66
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기 조직 액세스 시간 최대 클록 주파수 인터페이스 타입 공급 전압 - 최대 공급 전압 - 최소 공급 전류 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 장착 스타일 패키지/케이스 포장
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 4,255재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 491
: 2,500

64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 254재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 17

8 Mbit 512 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48
Alliance Memory SRAM SRAM, 16Mb, 1024K x 16, 3.3V, 48-ball TFBGA, 10ns, Industrial Temp - Tray 739재고 상태
최소: 1
배수: 1

16 Mbit 1 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 3,249재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 1,465
: 2,500

32 Mbit 2 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI SRAM 8Mb 1Mbx8 55ns Async SRAM 232재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

8 Mbit 1 M x 8 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray
Alliance Memory SRAM SRAM, 16Mb, 1024K x 16, 3.3V, 48ball TFBGA, 10ns, Industrial Temp - Tray 325재고 상태
최소: 1
배수: 1

16 Mbit 1 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray
ISSI SRAM 16M (1Mx16) 10ns Async SRAM 3.3V 419재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

16 Mbit 1 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Bulk
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,45ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 2,500재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

2 Mbit 128 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns A-Temp 254재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 12

64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray
Alliance Memory SRAM SRAM, 4Mb, 256K x 16, 3.3V, 48ball TFBGA, (B-die), Industrial Temp - Tray 388재고 상태
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 70 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray
ISSI SRAM 1Mb 64Kx16 55ns Async SRAM 208재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

1 Mbit 64 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 5 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray
Alliance Memory SRAM SRAM, 8Mb, 512K x 16, 3.3V, 48-ball TFBGA, 10ns, Industrial Temp - Tray 518재고 상태
최소: 1
배수: 1

8 Mbit 512 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 130 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 460재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

4 Mbit 256 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 22 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48
ISSI SRAM 4Mb 256Kx16 55ns Async SRAM 400재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

4 Mbit 256 k x 16 55 ns 18 MHz Parallel 3.6 V 2.5 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 738재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 719

64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 2,972재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 38
: 2,500

64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,55ns,2.5v 3.6v,48 Ball mBGA (7.2x8.7mm), RoHS 2,213재고 상태
2,500예상 2026-05-27
최소: 1
배수: 1
최대: 663
: 2,500

8 Mbit 512 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 5 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v 3.6v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS 341재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 5

8 Mbit 512 k x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 28 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 283재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 16

64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48
ISSI SRAM 4Mb 256Kx16 10ns Async SRAM 3.3v 159재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 3.135 V 110 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray
ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 1M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
475예상 2026-04-20
최소: 1
배수: 1
최대: 5

16 Mbit 1 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48
Infineon Technologies SRAM ASYNC 비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

2 Mbit 128 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 50 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM ASYNC 비재고 리드 타임 20 주
최소: 4,800
배수: 4,800

2 Mbit 128 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 50 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

8 Mbit 512 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480

8 Mbit 512 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48