Parallel I/O (x8) MRAM(자기 메모리)

결과: 36
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공급 전압 - 최대
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최고 작동온도
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Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
600재고 상태
최소: 1
배수: 1

BGA-48 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 85 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16MB 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
471재고 상태
최소: 1
배수: 1

BGA-48 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16Mb 3.3V 45ns 2Mx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
275재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
471재고 상태
최소: 1
배수: 1

BGA-48 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR0A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
403재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR0A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
269재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR256A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
405재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 85 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
316재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 125 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
289재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA 0 C + 70 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
280재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
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16재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR256A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
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최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000

BGA-48 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR0A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 1,500
배수: 1,500
릴: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR0A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
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배수: 348

BGA-48 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR0A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000

BGA-48 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR0A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR0A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
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최소: 1,500
배수: 1,500
릴: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR0A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
리드 타임 27 주
최소: 1
배수: 1

BGA-48 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR256A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000

BGA-48 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR256A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 1,500
배수: 1,500
릴: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR256A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 696
배수: 348

BGA-48 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR256A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000

BGA-48 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR256A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 1,500
배수: 1,500
릴: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR256A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000

BGA-48 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 85 C MR2A08A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 1,500
배수: 1,500
릴: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 85 C MR2A08A Reel