4 Mbit MRAM(자기 메모리)

결과: 136
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데이터 버스 너비
액세스 시간
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공급 전압 - 최대
작동 공급 전류
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
535재고 상태
최소: 1
배수: 1

BGA-48 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 85 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
833재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 85 C MR2A08A Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche High Performance Serial P-SRAM 4Mb in SOIC8 package with QSPI - 54MHz interface, 3V, -40 C to 85 C
데이터시트
352재고 상태
최소: 1
배수: 1

SOIC-8 QSPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 85 C AS3004204 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche High Performance Serial P-SRAM 4Mb in SOIC8 package with QSPI - 108MHz interface, 3V, -40 C to 105 C
데이터시트
881재고 상태
최소: 1
배수: 1

SOIC-8 QSPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 10 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 105 C AS3004204 Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) IC RAM 4Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz
데이터시트
905재고 상태
최소: 1
배수: 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA 0 C + 70 C Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI MRAM(자기 메모리)
데이터시트
416재고 상태
2,850주문 중
최소: 1
배수: 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 105 C MR25H40 Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
1,090재고 상태
1,485예상 2027-02-15
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) IC RAM 4Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz
데이터시트
752재고 상태
최소: 1
배수: 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 85 C Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
75재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
189재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) IC RAM 4Mb Octal SPI in 24-BGA 200 MHz
데이터시트
70재고 상태
최소: 1
배수: 1

BGA-24 SPI 4 Mbit 512 k x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 85 C Tray

Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) IC RAM 4Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM004LXQBDH13IS2T
데이터시트
67재고 상태
최소: 1
배수: 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 85 C Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 4Mb in 44TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 85 C
데이터시트
80재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3004316 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche High Performance Serial P-SRAM 4Mb in WSON8 package with QSPI - 54MHz interface, 3V, -40 C to 105 C
데이터시트
9재고 상태
최소: 1
배수: 1

WSON-8 QSPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 105 C AS3004204 Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 50Mhz 512K x 8 SPI
데이터시트
1,140예상 2026-12-02
최소: 1
배수: 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 85 C MR20H40 Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI
데이터시트
5,550주문 중
최소: 1
배수: 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 85 C MR25H40 Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI
데이터시트
7,845주문 중
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 4,000

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 85 C MR25H40 Reel, Cut Tape, MouseReel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI
데이터시트
7,059주문 중
최소: 1
배수: 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 125 C MR25H40 Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
1,620예상 2026-09-16
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA 0 C + 70 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
252예상 2026-09-09
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 125 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4MB 3.3V 35ns 512K x 8 MRAM(자기 메모리)
데이터시트
258예상 2026-09-16
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 125 C MR2A16A Tray
Renesas Electronics M30044010035X0ISAR
Renesas Electronics MRAM(자기 메모리) M3004401 4MB HIGH PERFORMANCE SPI 35MHZ MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 18 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SPI 4 Mbit M3004401 Reel
Renesas Electronics M30044010035X0ISAY
Renesas Electronics MRAM(자기 메모리) M3004401 4MB HIGH PERFORMANCE SPI 35MHZ MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 18 주
최소: 300
배수: 300

SPI 4 Mbit M3004401 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,008
배수: 168
FBGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3004316 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리)
데이터시트
재고 없음
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
SOIC-8 QSPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1004204 Reel