1 GB 메모리 모듈

결과: 17
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수량 RoHS ECAD 모델 제품
메모리 크기
메모리 타입
속도
작동 공급 전압
최고 작동온도
핀 수
Innodisk 메모리 모듈 400MT/s, 64Mx8, 1GB
데이터시트
비재고 리드 타임 2 주
최소: 1
배수: 1

UDIMMs 1 GB DDR 400 MT/s 1.6 V + 70 C 184 Pin
Innodisk 메모리 모듈 533MT/s 128Mx8 1GB
데이터시트
비재고 리드 타임 2 주
최소: 1
배수: 1

SODIMMs 1 GB DDR2 533 MT/s 1.8 V + 85 C 200 Pin
Innodisk 메모리 모듈 667MT/s 128Mx8 1GB
데이터시트
비재고 리드 타임 2 주
최소: 1
배수: 1

SODIMMs 1 GB DDR2 667 MT/s 1.8 V + 85 C 200 Pin
Apacer 메모리 모듈 DDR3-1066 REG DIMM CL7 1GB
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1

DIMMs 1 GB SDRAM - DDR3 1066 Mb/s 1.5 V + 85 C 240 Pin
Apacer 메모리 모듈 DDR3-1333 ECC-DIMM 1GB CL9 / Replacement : D32.15132N.001
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1

UDIMMs 1 GB SDRAM - DDR3 1333 Mb/s 1.5 V + 85 C 240 Pin
Apacer 메모리 모듈 DDR3-1333 REG DIMM CL9 1GB
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1

DIMMs 1 GB SDRAM - DDR3 1333 Mb/s 1.5 V + 85 C 240 Pin
Apacer 메모리 모듈 DDR3-1600 DIMM 1GB CL11 / Replacement : D12.16090N.001
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1

UDIMMs 1 GB SDRAM - DDR3 1600 Mb/s 1.5 V + 85 C 240 Pin
Apacer 메모리 모듈 1G DDR2 200P 667MHz SODIMM COM TEMP
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1

SODIMMs 1 GB DDR2 667 MT/s 200 Pin
Apacer 메모리 모듈 DDR3-1066 SO-ECC DIMM 1GB CL7 / Replacement : D42.15131N.001
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1

SODIMMs 1 GB SDRAM - DDR3 1066 Mb/s 1.5 V + 85 C 204 Pin
Apacer 메모리 모듈 DDR3-1600 SO-ECC DIMM 1GB CL11 / Replacement : D42.15131N.001
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1

SODIMMs 1 GB SDRAM - DDR3 1600 Mb/s 1.5 V + 85 C 204 Pin
Apacer 메모리 모듈 DDR2 SODIMM 6400-6 128x8 1GB NTC G
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1

1 GB SRAM 1.8 V + 85 C 60 Pin
Innodisk 메모리 모듈 1333MT/s, 128Mx16, 1GB
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1

SODIMMs 1 GB DDR3 1333 MT/s 1.35 V, 1.5 V + 85 C 204 Pin
Innodisk 메모리 모듈 1600MT/s, 128Mx16, 1GB
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1

SODIMMs 1 GB DDR3 1600 MT/s 1.35 V, 1.5 V + 85 C 204 Pin
Apacer 78.01G92.404
Apacer 메모리 모듈 1GB DDR2 533/667 U-DIMM 64x8 2 Rank CL5
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1

UDIMMs 1 GB DDR
ATP Electronics 메모리 모듈 IG Module 1GB Unb Non ECC SO-DIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 1 GB DDR3 1600 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 IG Module 1GB Unb ECC SO-DIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 1 GB DDR3 1066 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 IG Module 1GB Unb ECC SO-DIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 1 GB DDR3 1600 MT/s 1.5 V