|
|
메모리 모듈 8GB Unb ECC DIMM ULP
- A4C08QV8BNPBSE
- ATP Electronics
-
1,000:
₩90,500.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4C08QV8BNPBSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb ECC DIMM ULP
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 1,000
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
8 GB
|
DDR4
|
2133 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 8GB Unb ECC DIMM ULP
- A4C08QV8BNRCME
- ATP Electronics
-
1,000:
₩100,031.2
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4C08QV8BNRCME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb ECC DIMM ULP
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 1,000
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
8 GB
|
DDR4
|
2400 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 8GB Unb ECC DIMM ULP
- A4C08QV8BNRCSE
- ATP Electronics
-
1,000:
₩90,500.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4C08QV8BNRCSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb ECC DIMM ULP
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 1,000
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
8 GB
|
DDR4
|
2400 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 8GB Unb ECC DIMM ULP
- A4C08QV8BNTDME
- ATP Electronics
-
1,000:
₩100,031.2
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4C08QV8BNTDME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb ECC DIMM ULP
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 1,000
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
8 GB
|
DDR4
|
2666 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 8GB Unb ECC DIMM ULP
- A4C08QV8BNTDSE
- ATP Electronics
-
1,000:
₩90,500.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4C08QV8BNTDSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb ECC DIMM ULP
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 1,000
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
8 GB
|
DDR4
|
2666 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC DIMM
- A4C16QD8BVPBME
- ATP Electronics
-
50:
₩171,440.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4C16QD8BVPBME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR4
|
2133 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC DIMM
- A4C16QD8BVRCME
- ATP Electronics
-
50:
₩171,440.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4C16QD8BVRCME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR4
|
2400 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 WT 16GB Unb ECC DIMM
- A4C16QD8BVRCMW
- ATP Electronics
-
50:
₩192,280
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4C16QD8BVRCMW
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 WT 16GB Unb ECC DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR4
|
2400 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC DIMM
- A4C16QD8BVTDME
- ATP Electronics
-
50:
₩171,440.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4C16QD8BVTDME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR4
|
2666 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 WT 16GB Unb ECC DIMM
- A4C16QD8BVTDMW
- ATP Electronics
-
50:
₩192,280
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4C16QD8BVTDMW
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 WT 16GB Unb ECC DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR4
|
2666 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC DIMM
- A4C16QD8BVVFME
- ATP Electronics
-
50:
₩171,440.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4C16QD8BVVFME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR4
|
2933 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 WT 16GB Unb ECC DIMM
- A4C16QD8BVVFMW
- ATP Electronics
-
50:
₩192,280
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4C16QD8BVVFMW
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 WT 16GB Unb ECC DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR4
|
2933 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC DIMM
- A4C16QD8BVWEME
- ATP Electronics
-
50:
₩202,844
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4C16QD8BVWEME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 WT 16GB Unb ECC DIMM
- A4C16QD8BVWEMW
- ATP Electronics
-
50:
₩191,109.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4C16QD8BVWEMW
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 WT 16GB Unb ECC DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC DIMM
- A4C16QE8BNPBME
- ATP Electronics
-
50:
₩178,949.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4C16QE8BNPBME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR4
|
2133 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC DIMM
- A4C16QE8BNPBSE
- ATP Electronics
-
50:
₩171,440.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4C16QE8BNPBSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR4
|
2133 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC DIMM
- A4C16QE8BNRCME
- ATP Electronics
-
50:
₩178,949.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4C16QE8BNRCME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR4
|
2400 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC DIMM
- A4C16QE8BNRCSE
- ATP Electronics
-
50:
₩171,440.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4C16QE8BNRCSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR4
|
2400 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 WT 16GB Unb ECC DIMM
- A4C16QE8BNRCSW
- ATP Electronics
-
50:
₩192,280
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4C16QE8BNRCSW
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 WT 16GB Unb ECC DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR4
|
2400 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC DIMM
- A4C16QE8BNTDME
- ATP Electronics
-
50:
₩178,949.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4C16QE8BNTDME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR4
|
2666 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC DIMM
- A4C16QE8BNTDSE
- ATP Electronics
-
50:
₩171,440.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4C16QE8BNTDSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR4
|
2666 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 WT 16GB Unb ECC DIMM
- A4C16QE8BNTDSW
- ATP Electronics
-
50:
₩192,280
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4C16QE8BNTDSW
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 WT 16GB Unb ECC DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR4
|
2666 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC DIMM
- A4C16QE8BNWEME
- ATP Electronics
-
50:
₩178,949.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4C16QE8BNWEME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC DIMM
- A4C16QE8BNWESE
- ATP Electronics
-
50:
₩171,440.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4C16QE8BNWESE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC DIMM ULP
- A4C16QW8BNPBME
- ATP Electronics
-
1,000:
₩176,304.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4C16QW8BNPBME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC DIMM ULP
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 1,000
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR4
|
2133 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|