|
|
메모리 모듈
- A4B08Q18BNWESE
- ATP Electronics
-
50:
₩130,856.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4B08Q18BNWESE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
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비재고 리드 타임 29 주
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최소: 50
배수: 50
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메모리 모듈 8GB Registered ECC Module
- A4B08QD8BNPBME
- ATP Electronics
-
50:
₩125,293.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4B08QD8BNPBME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Registered ECC Module
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
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최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs
|
8 GB
|
DDR4
|
2133 MT/s
|
1.2 V
|
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메모리 모듈 8GB Registered ECC Module
- A4B08QD8BNPBSE
- ATP Electronics
-
50:
₩121,387.2
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4B08QD8BNPBSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Registered ECC Module
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs
|
8 GB
|
DDR4
|
2133 MT/s
|
1.2 V
|
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메모리 모듈 8GB Registered ECC Module
- A4B08QD8BNRCME
- ATP Electronics
-
50:
₩125,293.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4B08QD8BNRCME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Registered ECC Module
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
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|
DIMMs
|
8 GB
|
DDR4
|
2400 MT/s
|
1.2 V
|
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메모리 모듈 8GB Registered ECC Module
- A4B08QD8BNRCSE
- ATP Electronics
-
50:
₩121,387.2
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4B08QD8BNRCSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Registered ECC Module
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
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|
DIMMs
|
8 GB
|
DDR4
|
2400 MT/s
|
1.2 V
|
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메모리 모듈 8GB Registered ECC Module
- A4B08QD8BNTDME
- ATP Electronics
-
50:
₩125,293.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4B08QD8BNTDME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Registered ECC Module
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs
|
8 GB
|
DDR4
|
2666 MT/s
|
1.2 V
|
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메모리 모듈 8GB Registered ECC Module
- A4B08QD8BNTDSE
- ATP Electronics
-
50:
₩121,387.2
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4B08QD8BNTDSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Registered ECC Module
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs
|
8 GB
|
DDR4
|
2666 MT/s
|
1.2 V
|
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|
메모리 모듈 8GB Registered ECC Module
- A4B08QD8BNVFME
- ATP Electronics
-
50:
₩125,293.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4B08QD8BNVFME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Registered ECC Module
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs
|
8 GB
|
DDR4
|
2933 MT/s
|
1.2 V
|
|
|
|
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|
메모리 모듈 8GB Registered ECC Module
- A4B08QD8BNVFSE
- ATP Electronics
-
50:
₩121,387.2
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4B08QD8BNVFSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Registered ECC Module
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs
|
8 GB
|
DDR4
|
2933 MT/s
|
1.2 V
|
|
|
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|
메모리 모듈 8GB Registered ECC Module
- A4B08QD8BNWEME
- ATP Electronics
-
50:
₩136,420
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4B08QD8BNWEME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Registered ECC Module
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs
|
8 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
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|
메모리 모듈 8GB Registered ECC Module
- A4B08QD8BNWESE
- ATP Electronics
-
50:
₩130,856.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4B08QD8BNWESE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Registered ECC Module
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs
|
8 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 8GB Registered ECC Module-Samsung Org.
- A4B08QD8BNWESO
- ATP Electronics
-
50:
₩109,956.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4B08QD8BNWESO
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Registered ECC Module-Samsung Org.
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs
|
8 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
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|
메모리 모듈 8GB Registered ECC Module VLP
- A4B08QG8BNPBME
- ATP Electronics
-
50:
₩121,113.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4B08QG8BNPBME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Registered ECC Module VLP
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
8 GB
|
DDR4
|
2133 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 8GB Registered ECC Module VLP
- A4B08QG8BNRCME
- ATP Electronics
-
50:
₩121,113.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4B08QG8BNRCME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Registered ECC Module VLP
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
8 GB
|
DDR4
|
2400 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
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|
메모리 모듈 8GB Registered ECC Module VLP
- A4B08QG8BNRCSE
- ATP Electronics
-
50:
₩117,207.2
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4B08QG8BNRCSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Registered ECC Module VLP
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
8 GB
|
DDR4
|
2400 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈
- A4B16Q18BVPBME
- ATP Electronics
-
50:
₩188,115.2
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4B16Q18BVPBME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
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|
|
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|
메모리 모듈
- A4B16Q18BVPBSE
- ATP Electronics
-
50:
₩191,717.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4B16Q18BVPBSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
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|
|
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|
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|
|
메모리 모듈
- A4B16Q18BVRCME
- ATP Electronics
-
50:
₩188,115.2
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4B16Q18BVRCME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
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|
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|
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|
메모리 모듈
- A4B16Q18BVRCSE
- ATP Electronics
-
50:
₩191,717.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4B16Q18BVRCSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
|
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|
메모리 모듈
- A4B16Q18BVTDME
- ATP Electronics
-
50:
₩188,115.2
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4B16Q18BVTDME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
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|
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메모리 모듈
- A4B16Q18BVTDSE
- ATP Electronics
-
50:
₩191,717.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4B16Q18BVTDSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
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|
|
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|
|
|
|
|
|
메모리 모듈
- A4B16Q18BVVFME
- ATP Electronics
-
50:
₩188,115.2
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4B16Q18BVVFME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
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|
메모리 모듈
- A4B16Q18BVVFSE
- ATP Electronics
-
50:
₩191,717.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4B16Q18BVVFSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
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|
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메모리 모듈
- A4B16Q18BVWEME
- ATP Electronics
-
50:
₩222,573.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4B16Q18BVWEME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
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|
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메모리 모듈
- A4B16Q18BVWESCV
- ATP Electronics
-
50:
₩211,447.2
-
비재고 리드 타임 29 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
162-A4B16Q18BVWESCV
신제품
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
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|
대한민국