|
|
메모리 모듈 WT 16GB Unb ECC SODIMM
- A4F16QD8BVRCMW
- ATP Electronics
-
50:
₩194,225.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4F16QD8BVRCMW
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 WT 16GB Unb ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
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최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR4
|
2400 MT/s
|
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메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM
- A4F16QD8BVTDME
- ATP Electronics
-
50:
₩173,386.4
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4F16QD8BVTDME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR3
|
2666 MT/s
|
|
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메모리 모듈 WT 16GB Unb ECC SODIMM
- A4F16QD8BVTDMW
- ATP Electronics
-
50:
₩194,225.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4F16QD8BVTDMW
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 WT 16GB Unb ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
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|
SODIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR4
|
2666 MT/s
|
|
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메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM
- A4F16QD8BVVFME
- ATP Electronics
-
50:
₩173,386.4
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4F16QD8BVVFME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR3
|
2933 MT/s
|
|
|
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메모리 모듈 WT 16GB Unb ECC SODIMM
- A4F16QD8BVVFMW
- ATP Electronics
-
50:
₩194,225.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4F16QD8BVVFMW
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 WT 16GB Unb ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR4
|
2933 MT/s
|
|
|
|
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|
메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM
- A4F16QD8BVWEME
- ATP Electronics
-
50:
₩173,386.4
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4F16QD8BVWEME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR3
|
3200 MT/s
|
|
|
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|
|
메모리 모듈 WT 16GB Unb ECC SODIMM
- A4F16QD8BVWEMW
- ATP Electronics
-
50:
₩189,027.2
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4F16QD8BVWEMW
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 WT 16GB Unb ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM
- A4F16QG8BNPBME
- ATP Electronics
-
50:
₩222,573.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4F16QG8BNPBME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR3
|
2133 MT/s
|
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM
- A4F16QG8BNPBSE
- ATP Electronics
-
50:
₩184,847.2
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4F16QG8BNPBSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR3
|
2133 MT/s
|
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM
- A4F16QG8BNRCME
- ATP Electronics
-
50:
₩260,254.4
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4F16QG8BNRCME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR3
|
2400 MT/s
|
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM
- A4F16QG8BNRCSE
- ATP Electronics
-
50:
₩173,386.4
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4F16QG8BNRCSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR3
|
2400 MT/s
|
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 WT 16GB Unb ECC SODIMM
- A4F16QG8BNRCSW
- ATP Electronics
-
50:
₩194,225.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4F16QG8BNRCSW
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 WT 16GB Unb ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR4
|
2400 MT/s
|
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM
- A4F16QG8BNTDME
- ATP Electronics
-
50:
₩222,573.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4F16QG8BNTDME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR3
|
2666 MT/s
|
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM
- A4F16QG8BNTDSE
- ATP Electronics
-
50:
₩173,386.4
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4F16QG8BNTDSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR3
|
2666 MT/s
|
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 WT 16GB Unb ECC SODIMM
- A4F16QG8BNTDSW
- ATP Electronics
-
50:
₩194,225.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4F16QG8BNTDSW
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 WT 16GB Unb ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR4
|
2666 MT/s
|
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM
- A4F16QG8BNWEME
- ATP Electronics
-
50:
₩268,903.2
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4F16QG8BNWEME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR3
|
3200 MT/s
|
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM
- A4F16QG8BNWESE
- ATP Electronics
-
50:
₩173,386.4
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4F16QG8BNWESE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR3
|
3200 MT/s
|
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 32GB Unb ECC SODIMM
- A4F32Q28BVPBSE
- ATP Electronics
-
50:
₩283,601.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4F32Q28BVPBSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 32GB Unb ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs, ECC
|
32 GB
|
DDR3
|
2133 MT/s
|
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 32GB Unb ECC SODIMM
- A4F32Q28BVRCSE
- ATP Electronics
-
50:
₩283,601.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4F32Q28BVRCSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 32GB Unb ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs, ECC
|
32 GB
|
DDR3
|
2400 MT/s
|
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 WT 32GB Unb ECC SODIMM
- A4F32Q28BVRCSW
- ATP Electronics
-
50:
₩355,315.2
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4F32Q28BVRCSW
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 WT 32GB Unb ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs, ECC
|
32 GB
|
DDR4
|
2400 MT/s
|
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 32GB Unb ECC SODIMM
- A4F32Q28BVTDSE
- ATP Electronics
-
50:
₩283,601.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4F32Q28BVTDSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 32GB Unb ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs, ECC
|
32 GB
|
DDR3
|
2666 MT/s
|
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 WT 32GB Unb ECC SODIMM
- A4F32Q28BVTDSW
- ATP Electronics
-
50:
₩355,315.2
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4F32Q28BVTDSW
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 WT 32GB Unb ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs, ECC
|
32 GB
|
DDR4
|
2666 MT/s
|
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 32GB Unb ECC SODIMM
- A4F32QG8BVPBME
- ATP Electronics
-
50:
₩319,944.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4F32QG8BVPBME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 32GB Unb ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs, ECC
|
32 GB
|
DDR3
|
2133 MT/s
|
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 32GB Unb ECC SODIMM
- A4F32QG8BVRCME
- ATP Electronics
-
50:
₩319,944.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4F32QG8BVRCME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 32GB Unb ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs, ECC
|
32 GB
|
DDR3
|
2400 MT/s
|
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 WT 32GB Unb ECC SODIMM
- A4F32QG8BVRCMW
- ATP Electronics
-
50:
₩340,525.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4F32QG8BVRCMW
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 WT 32GB Unb ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs, ECC
|
32 GB
|
DDR4
|
2400 MT/s
|
|
|
|
|
대한민국