- 55 C Tube EEPROM

결과: 65
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수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기
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최대 클록 주파수
조직
패키지/케이스
액세스 시간
공급 전압 - 최소
공급 전압 - 최대
장착 스타일
데이터 유지
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
Microchip Technology EEPROM 256K FAST PROG SDP - 150NS
데이터시트
25재고 상태
최소: 1
배수: 1

256 kbit Parallel 32 k x 8 LCC-32 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP - 120NS
데이터시트
12재고 상태
최소: 1
배수: 1
없음
256 kbit Parallel 32 k x 8 LCC-32 70 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28HC256 Tube
Microchip Technology EEPROM Serial EEPROM 256K 32K X 8, 2.5V MIL T
데이터시트
149재고 상태
최소: 1
배수: 1

256 kbit SPI 10 MHz 32 k x 8 DFN-S-8 50 ns 2.5 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 55 C + 125 C Tube
Microchip Technology EEPROM 256K 5V SDP - 90NS FLATPACK 883C
데이터시트
15재고 상태
최소: 1
배수: 1
없음
256 kbit Parallel 5 MHz 32 k x 8 FlatPack-28 90 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28HC256 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K 5V SDP - 90NS
데이터시트
15재고 상태
최소: 1
배수: 1

256 kbit Parallel 5 MHz 32 k x 8 LCC-32 90 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28HC256 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K 11MIL GRIND - 150NS
데이터시트
2재고 상태
최소: 1
배수: 1
없음
256 kbit Parallel 32 k x 8 CDIP-28 150 ns 4.5 V 5.5 V Through Hole 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Tube
Microchip / Microsemi EEPROM 256K 11MIL GRIND - 250NS 883C
데이터시트
16재고 상태
최소: 1
배수: 1

256 kbit Parallel 32 k x 8 CDIP-28 150 ns 4.5 V 5.5 V Through Hole 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM Serial EEPROM 512K 64K X 8, 2.5V MIL T
데이터시트
387재고 상태
최소: 1
배수: 1

512 kbit SPI 10 MHz 64 k x 8 SOIC-8 50 ns 2.5 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 55 C + 125 C Tube
Microchip Technology EEPROM 64K 8K X 8 2.5V SERIAL EE MIL
데이터시트
2재고 상태
400예상 2026-05-08
최소: 1
배수: 1

64 kbit SPI 10 MHz 8 k x 8 SOIC-8 50 ns 2.5 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 55 C + 125 C Tube
Microchip Technology EEPROM 1M 5V SDP - 150NS
데이터시트
12재고 상태
최소: 1
배수: 1
없음
1 Mbit Parallel 128 k x 8 CDIP-32 250 ns 4.5 V 5.5 V Through Hole 10 Year - 55 C + 125 C AT28C010 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K 11MIL GRIND - 200NS
데이터시트
1재고 상태
최소: 1
배수: 1

256 kbit Parallel 32 k x 8 CDIP-28 200 ns 4.5 V 5.5 V Through Hole 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K 5V SDP - 120NS
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

256 kbit Parallel 32 k x 8 CDIP-28 70 ns 4.5 V 5.5 V Through Hole 10 Year - 55 C + 125 C AT28HC256 Tube
Microchip Technology EEPROM 16K 2K X 8 2.5V SERIAL EE MIL
데이터시트
비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1

16 kbit 2-Wire, I2C 400 kHz 2 k x 8 SOIC-8 900 ns 2.5 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 55 C + 125 C Tube

Microchip Technology EEPROM 150NS CERDIP
데이터시트
N/A
최소: 1
배수: 1

256 kbit Parallel 5 MHz 32 k x 8 DIP-28 150 ns 4.5 V 5.5 V Through Hole 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Tube

Microchip Technology EEPROM 200NS CERDIP
데이터시트
재고 없음
최소: 14
배수: 14

256 kbit Parallel 5 MHz 32 k x 8 DIP-28 200 ns 4.5 V 5.5 V Through Hole 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Tube

Microchip Technology EEPROM 250NS CERDIP
데이터시트
재고 없음
최소: 14
배수: 14

256 kbit Parallel 5 MHz 32 k x 8 DIP-28 250 ns 4.5 V 5.5 V Through Hole 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS 883C
데이터시트
재고 없음
최소: 14
배수: 14

256 kbit Parallel 5 MHz 32 k x 8 CDIP-28 150 ns 4.5 V 5.5 V Through Hole 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K 5V SDP - 90NS 883C
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1

256 kbit Parallel 32 k x 8 CDIP-28 90 ns 4.5 V 5.5 V Through Hole 10 Year - 55 C + 125 C AT28HC256 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K 11MIL GRIND - 200NS
데이터시트
비재고 리드 타임 13 주
최소: 1
배수: 1

256 kbit Parallel 32 k x 8 LCC-32 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K 11MIL GRIND - 250NS
데이터시트
재고 없음
최소: 34
배수: 34

256 kbit Parallel 32 k x 8 LCC-32 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP - 150NS
데이터시트
재고 없음
최소: 34
배수: 34

256 kbit Parallel 32 k x 8 LCC-32 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP - 200NS
데이터시트
재고 없음
최소: 14
배수: 14

256 kbit Parallel 32 k x 8 CDIP-28 150 ns 4.5 V 5.5 V Through Hole 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP - 200NS
데이터시트
재고 없음
최소: 34
배수: 34

256 kbit Parallel 32 k x 8 LCC-32 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP - 250NS
데이터시트
재고 없음
최소: 14
배수: 14

256 kbit Parallel 32 k x 8 CDIP-28 150 ns 4.5 V 5.5 V Through Hole 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP - 250NS
데이터시트
재고 없음
최소: 34
배수: 34

256 kbit Parallel 32 k x 8 LCC-32 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Tube