512 Mbit DRAM

결과: 340
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공급 전압 - 최대
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최고 작동온도
시리즈
포장
AP Memory DRAM IoT RAM 512Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
데이터시트
1,598재고 상태
최소: 1
배수: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 512 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 64 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 512Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC)
데이터시트
854재고 상태
최소: 1
배수: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 512 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 64 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM
데이터시트
326재고 상태
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 512 Mbit 200 MHz FBGA-24 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM
데이터시트
334재고 상태
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 512 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 64 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
Alliance Memory DRAM 512M 3.3V 143MHz 32M x 16 SDRAM
데이터시트
3,218재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SDRAM 512 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C AS4C32M16SB Reel, Cut Tape
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS
데이터시트
445재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 79

SDRAM 512 Mbit 16 bit 167 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16320F
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS, IT
데이터시트
872재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 265

SDRAM 512 Mbit 16 bit 167 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16320F
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II, RoHS, IT
데이터시트
234재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 16

SDRAM 512 Mbit 32 bit 167 MHz TSOP-II-86 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32160F
ISSI DRAM 512M 64Mx8 400MHz DDR2 1.8V
데이터시트
556재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 35

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 400 MHz BGA-60 64 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR86400E
Alliance Memory DRAM DDR2, 512Mb, 32M x 16, 1.8V, 84-ball BGA, 400 MHz, Commercial Temp - Tray
데이터시트
194재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz FBGA-84 32 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C Tray
ISSI DRAM 512Mb, 3.3V, 143MHz 32Mx16 SDR SDRAM
데이터시트
164재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 38

SDRAM 512 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C IS45S16320D Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 64M x 8, 2.5v, 60ball TFBGA, 200MHz, Industrial Temp - Tray
데이터시트
467재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-60 64 M x 8 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C64M8D1 Tray
Alliance Memory DRAM DDR2, 512Mb, 32M x 16, 1.8V, 84-ball BGA, 400 MHz, Industrial Temp - Tray
데이터시트
266재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz FBGA-84 32 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C Tray
ISSI DRAM 512Mb 32Mx16 166MHz Mobile SDRAM
데이터시트
279재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 9

SDRAM Mobile 512 Mbit 16 bit 133 MHz FBGA-54 32 M x 16 5.5 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42SM16320E Bulk
ISSI DRAM 512Mb, 1.8V, 400MHz 32Mx16 DDR2 SDRAM
데이터시트
263재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 2

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz BGA-84 32 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IS43DR16320C Tray
ISSI DRAM 512M, 1.8V, 133Mhz 32Mx16 Mobile SDR
데이터시트
667재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 7

SDRAM Mobile 512 Mbit 16 bit 133 MHz BGA-54 32 M x 16 5.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS42VM16320E Tray
Zentel Japan DRAM DDR2 512Mb, 32Mx16, 800 at CL5, 1.8V, FBGA-84
데이터시트
731재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz FPGA-84 32 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C DDR2 Tray
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm), RoHS
데이터시트
444재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 7

SDRAM 512 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-54 32 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16320F
ISSI DRAM 512M 32Mx16 166MHz DDR 2.5V
데이터시트
31재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16320F
ISSI DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 32M x 16 DDR2
데이터시트
4재고 상태
418예상 2026-05-04
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 333 MHz BGA-84 32 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR16320D Tray
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II, RoHS
데이터시트
106재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SDRAM 512 Mbit 32 bit 167 MHz TSOP-II-86 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32160F
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS,
데이터시트
17재고 상태
240예상 2026-05-06
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SDRAM 512 Mbit 32 bit 167 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32160F Reel
ISSI DRAM 512M 64Mx8 200MHz DDR 2.5V
데이터시트
34재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R86400F
ISSI DRAM 512M 64Mx8 333MHz DDR2 1.8V
데이터시트
74재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 333 MHz BGA-60 64 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C IS43DR86400E Tray
ISSI DRAM 512M (32Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
데이터시트
78재고 상태
216예상 2026-05-13
최소: 1
배수: 1
최대: 89

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16320D Tray