250 MHz DRAM

결과: 10
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AP Memory APS512XXN-OB9-BG
AP Memory DRAM IoT RAM 512Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 6,439재고 상태
최소: 1
배수: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 512 Mbit 8 bit / 16 bit 250 MHz BGA-24 64 M x 8/32 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
Winbond DRAM 64Mb HyperRAM x8, 250MHz 1,970재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

64 Mbit 250 MHz BGA-24 6 M x 8 Reel, Cut Tape
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
4,703예상 2026-09-09
최소: 1
배수: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 250 MHz BGA-24 32 M x 8/16 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
Winbond W958S6NBJX4I
Winbond DRAM 256Mb HyperRAM x16, 250MHz, Ind temp, 1.2V
490예상 2027-02-19
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 256 MB 250 MHz - 40 C + 85 C Tray
Winbond W958S8NBPA4I
Winbond DRAM 256Mb HyperRAM x8, 250MHz, Ind temp, 1.2V
480예상 2027-02-19
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 256 MB 250 MHz - 40 C + 85 C Tray
Winbond W958S8NMPA4I
Winbond DRAM 256Mb HyperRAM x8, 250MHz, Ind temp, 1.2V
480예상 2027-02-19
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 256 MB 250 MHz - 40 C + 85 C Tray
Winbond W959S6NBJX4I
Winbond DRAM 512Mb HyperRAM x16, 250MHz, Ind temp, 1.2V
490예상 2027-02-19
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 512 MB 250 MHz - 40 C + 85 C Tray
Winbond W959S8NMPA4I
Winbond DRAM 512Mb HyperRAM x8, 250MHz, Ind temp, 1.2V
480예상 2027-02-19
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 512 MB 250 MHz - 40 C + 85 C Tray
AP Memory APS256XXN-OB9-WA
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP 비재고 리드 타임 20 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 250 MHz WLCSP-24 32 M x 8/16 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel
AP Memory APS256XXN-OBX9-BG
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ext.. Temp., BGA24 비재고 리드 타임 20 주
최소: 4,800
배수: 4,800

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 250 MHz BGA-24 32 M x 8/16 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 105 C IoT RAM Tray