100 MHz DRAM

결과: 7
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 타입 메모리 크기 데이터 버스 너비 최대 클록 주파수 패키지/케이스 조직 액세스 시간 공급 전압 - 최소 공급 전압 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈 포장
ISSI IS66WVH64M8DBLL-166B1LI
ISSI DRAM 512Mb, HyperRAM, 64Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 1,908재고 상태
최소: 1
배수: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 100 MHz TFBGA-24 64 M x 8 35 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI IS66WVH16M8DBLL-100B1LI
ISSI DRAM 128Mb, HyperRAM, 16Mbx8, 3.0V, 100MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 1,283재고 상태
최소: 1
배수: 1
HyperRAM 128 Mbit 8 bit 100 MHz TFBGA-24 16 M x 8 40 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 3.0V, 100MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 387재고 상태
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 100 MHz TFBGA-24 8 M x 8 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
ISSI DRAM 64Mb 8Mbx8 3.0V 100MHz HyperRAM 1재고 상태
2,400주문 중
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 100 MHz TFGBA-24 8 M x 8 40 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS66WVH8M8BLL
ISSI DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 3.0V, 100MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 비재고 리드 타임 18 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 100 MHz TFBGA-24 8 M x 8 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI IS66WVH64M8DBLL-166B1LI-TR
ISSI DRAM 512Mb, HyperRAM, 64Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 비재고 리드 타임 18 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 100 MHz TFBGA-24 64 M x 8 35 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI IS66WVH16M8DBLL-100B1LI-TR
ISSI DRAM 128Mb, HyperRAM, 16Mbx8, 3.0V, 100MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1
배수: 1
: 2,500
HyperRAM 128 Mbit 8 bit 100 MHz TFBGA-24 16 M x 8 40 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape