ISSI DRAM

결과: 1,807
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 타입 메모리 크기 데이터 버스 너비 최대 클록 주파수 패키지/케이스 조직 액세스 시간 공급 전압 - 최소 공급 전압 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈 포장
ISSI DRAM 512M (32Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM 61재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320D Tray
ISSI DRAM 512M (32Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM 28재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320D Tray
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT 155재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SDRAM - DDR BGA-60 IS43R16320F
ISSI DRAM 64M (4Mx16) 143MHz SDR SDRAM 3.3v 172재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 10

SDRAM 64 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C IS45S16400J Tray
ISSI DRAM 64M, 3.3V, 143Mhz 2Mx32 SDR SDRAM 3,730재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 2 M x 32 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS45S32200L Tray
ISSI DRAM 16Mb 1Mx16 50ns Async FP DRAM 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
최대: 6

FPM DRAM 16 Mbit 16 bit TSOP-II-44 1 M x 16 50 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS41LV16105D Bulk
ISSI DRAM 5재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 2

SDRAM - DDR2 2 Gbit 16 bit 400 MHz BGA-84 128 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 105 C
ISSI DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 32M x 16 DDR2 9재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 333 MHz BGA-84 32 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR16320D Tray
ISSI DRAM 16M, 3.3V, SDRAM 1Mx16, 143Mhz,RoHS 14재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SDRAM 16 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-60 1 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16100H
ISSI DRAM 256M 16Mx16 166Mhz SDR SDRAM, 3.3V 241재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 16

SDRAM 256 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 16 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16160G Tray
ISSI DRAM 256M 32Mx8 143MHz SDR SDRAM, 3.3V 39재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SDRAM 256 Mbit 8 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S83200G Tray
ISSI DRAM Automotive 16M 3.3V SDRAM 1Mx16 143MHz 229재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SDRAM 16 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-50 1 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16100H Tray
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II, RoHS 106재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SDRAM 512 Mbit 32 bit 167 MHz TSOP-II-86 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32160F
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166MHz, 54 pin TSOP II RoHS 38재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 6

SDRAM 256 Mbit 8 bit/16 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 8/16 M x 16 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM 256M (16Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM 20재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16160D Tray
ISSI DRAM 128Mb, 3.3V, 143MHz 8Mx16 SDR SDRAM 102재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SDRAM 128 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 8 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C IS45S16800F Tray
ISSI DRAM 128M (4Mx32) 143MHz SDR SDRAM 3.3v 9재고 상태
2,640주문 중
최소: 1
배수: 1
최대: 311

SDRAM 128 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 4 M x 32 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS45S32400F Tray
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II, RoHS 106재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 15

SDRAM 512 Mbit 32 bit 167 MHz TSOP-II-86 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32160F
ISSI DRAM SYNC. DRAM 256Mb 16M x16, Automotive 75재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 8

SDRAM 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 16 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS45S16160J
ISSI DRAM 16M, 3.3V, SDRAM 1Mx16, 166Mhz,RoHS 106재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 15

SDRAM 16 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 1 M x 16 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16100H
ISSI DRAM 256M (16Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
최대: 5

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-60 16 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16160D Tray
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 16M, 3.3V, SDRAM, 1Mx16, 143Mhz, 50 pin TSOP II (400 mil) RoHS 139재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 5

SDRAM 16 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-50 1 M x 16 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C IS42S16100H Tray
ISSI DRAM 256M, 2.5V, 200Mhz 16Mx16 DDR SDRAM 58재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS46R16160D Tray
ISSI DRAM 128M, 3.3V, 143Mhz 8Mx16 SDR SDRAM 65재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SDRAM 128 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 8 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C IS45S16800F Tray
ISSI DRAM 512M 64Mx8 200MHz DDR 2.5V 84재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R86400F