18 bit DRAM

결과: 57
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조직
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공급 전압 - 최대
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시리즈
포장
Micron DRAM RLDRAM 288M 16MX18 FBGA
데이터시트
제품 코멘트
20재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
최대: 100
: 1,000

RLDRAM2 288 Mbit 18 bit 533 MHz FBGA-144 16 M x 18 1.7 V 1.9 V 0 C + 95 C MT49H Reel, Cut Tape, MouseReel
GSI Technology DRAM 16M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1

LLDRAM II 288 Mbit 18 bit 533 MHz uBGA-144 16 M x 18 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C Tray
GSI Technology DRAM 16M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1

LLDRAM II 288 Mbit 18 bit 533 MHz uBGA-144 16 M x 18 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C Tray
GSI Technology DRAM 32M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR 576 Mbit 18 bit 400 MHz uBGA-144 32 M x 18 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C Tray
GSI Technology DRAM 32M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR 576 Mbit 18 bit 400 MHz uBGA-144 32 M x 18 20 ns 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C Tray
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x18, Common I/O, 400MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA
데이터시트
재고 없음
최소: 104
배수: 104

RLDRAM2 288 Mbit 18 bit 400 MHz WBGA-144 16 M x 18 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS49NLC18160 Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x18, Common I/O, 300MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA
데이터시트
재고 없음
최소: 104
배수: 104

RLDRAM2 288 Mbit 18 bit 300 MHz WBGA-144 16 M x 18 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS49NLC18160 Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 28 주
최소: 104
배수: 104

RLDRAM2 576 Mbit 18 bit 533 MHz WBGA-144 32 M x 18 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLC18320A
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 28 주
최소: 104
배수: 104

RLDRAM2 576 Mbit 18 bit 400 MHz WBGA-144 32 M x 18 20 ns 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLC18320A Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 300MHz, RoHS, wBGA
데이터시트
재고 없음
최소: 104
배수: 104

RLDRAM2 576 Mbit 18 bit 300 MHz WBGA-144 32 M x 18 20 ns 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLC18320A Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 28 주
최소: 104
배수: 104

RLDRAM2 576 Mbit 18 bit 533 MHz WBGA-144 32 M x 18 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLS18320A
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 28 주
최소: 104
배수: 104

RLDRAM2 576 Mbit 18 bit 400 MHz FBGA-144 32 M x 18 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLS18320A Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 300MHz, RoHS, wBGA
데이터시트
재고 없음
최소: 104
배수: 104

RLDRAM2 576 Mbit 18 bit 300 MHz WBGA-144 32 M x 18 20 ns 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLS18320A Bulk
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 933Mhz, tRC=8ns, RoHS, Ind. Temp
데이터시트
재고 없음
최소: 119
배수: 119

SDRAM - DDR 576 Mbit 18 bit 933 MHz BGA-168 32 M x 18 8 ns 1.28 V 1.42 V - 40 C + 95 C IS49RL18320 Tray
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 800Mhz, tRC=8ns, RoHS, Ind. Temp
데이터시트
재고 없음
최소: 119
배수: 119

SDRAM - DDR 576 Mbit 18 bit 800 MHz BGA-168 32 M x 18 8 ns 1.28 V 1.42 V - 40 C + 95 C IS49RL18320 Tray
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 1066Mhz, tRC=10ns, RoHS
데이터시트
재고 없음
최소: 119
배수: 119

RLDRAM3 576 Mbit 18 bit 1.075 GHz BGA-168 32 M x 18 1.28 V 1.42 V 0 C + 95 C IS49RL18320 Tray
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 933Mhz, tRC=10ns, RoHS
데이터시트
재고 없음
최소: 119
배수: 119

SDRAM - DDR 576 Mbit 18 bit 933 MHz BGA-168 32 M x 18 1.28 V 1.42 V 0 C + 95 C IS49RL18320 Tray
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 800Mhz, tRC=10ns, RoHS
데이터시트
재고 없음
최소: 119
배수: 119

SDRAM - DDR 576 Mbit 18 bit 800 MHz BGA-168 32 M x 18 1.28 V 1.42 V 0 C + 95 C IS49RL18320 Tray
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 1066Mhz, tRC=10ns, RoHS, Ind. Temp
데이터시트
재고 없음
최소: 119
배수: 119

RLDRAM3 576 Mbit 18 bit 1.075 GHz BGA-168 32 M x 18 1.28 V 1.42 V - 40 C + 95 C IS49RL18320 Tray
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 933Mhz, tRC=10ns, RoHS, Ind. Temp
데이터시트
재고 없음
최소: 119
배수: 119

SDRAM - DDR 576 Mbit 18 bit 933 MHz BGA-168 32 M x 18 1.28 V 1.42 V - 40 C + 95 C IS49RL18320 Tray
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 933Mhz, tRC=8ns, RoHS
데이터시트
재고 없음
최소: 119
배수: 119

SDRAM - DDR 576 Mbit 18 bit 933 MHz BGA-168 32 M x 18 8 ns 1.28 V 1.42 V 0 C + 95 C IS49RL18320 Tray
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 800Mhz, tRC=10ns, RoHS, Ind. Temp
데이터시트
재고 없음
최소: 119
배수: 119

SDRAM - DDR 576 Mbit 18 bit 800 MHz BGA-168 32 M x 18 1.28 V 1.42 V - 40 C + 95 C IS49RL18320 Tray
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 800Mhz, tRC=8ns, RoHS
데이터시트
재고 없음
최소: 119
배수: 119

SDRAM - DDR 576 Mbit 18 bit 800 MHz BGA-168 32 M x 18 8 ns 1.28 V 1.42 V 0 C + 95 C IS49RL18320 Tray
ISSI DRAM 576M, x18, 400Mhz RLDRAM2
데이터시트
재고 없음
최소: 104
배수: 104

RLDRAM2 576 Mbit 18 bit 400 MHz FCBGA-144 32 M x 18 2.38 V 2.63 V - 40 C + 85 C IS49NLC18320 Tray
ISSI DRAM 288Mbit x18 Separate I/O 400MHz RLDRAM2
데이터시트
재고 없음
최소: 104
배수: 104

RLDRAM2 288 Mbit 18 bit 400 MHz WBGA-144 16 M x 18 1.7 V 2.63 V - 40 C + 85 C IS49NLS18160 Bulk