SDRAM - LPDDR4X DRAM

결과: 59
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Winbond DRAM 4Gb LPDDR4X, DDP, x32, 1600MHz, -40C 105C
데이터시트
128재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100

SDRAM - LPDDR4X 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz WFBGA-200 128 M x 32 1.06 V 1.95 V - 40 C + 105 C Tray
Alliance Memory DRAM LPDDR4X, 8G, 256M x 32, 0.6V, 200ball TFBGA, 1600MHZ, ECC, AUTO TEMP
데이터시트
589재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - LPDDR4X 8 Gbit 32 bit 1.6 GHz FBGA-200 256 M x 32 3.5 ns 1.06 V 1.95 V - 40 C + 105 C Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 256Mx32 2133MHz FBGA200 -40C to 85C
데이터시트
240재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - LPDDR4X 8 Gbit 32 bit 2.133 GHz FBGA-200 256 M x 32 600 mV 1.8 V - 40 C + 95 C LPDDR4x Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 16Gb 1024Mx16 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
데이터시트
128재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - LPDDR4X 16 Gbit 16 bit 2.133 GHz FBGA-200 1 G x 16 570 mV 1.95 V - 20 C + 85 C LPDDR4x Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 16Gb 512Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
데이터시트
48재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - LPDDR4X 16 Gbit 32 bit 2.133 GHz FBGA-200 512 M x 32 570 mV 1.95 V - 20 C + 85 C LPDDR4x Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 256Mx16 2133MHz FBGA200 -40C to 85C
데이터시트
44재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - LPDDR4X 4 Gbit 16 bit 2.133 GHz FBGA-200 256 M x 16 600 mV 1.8 V - 40 C + 95 C LPDDR4x Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 512Mx16 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
데이터시트
6재고 상태
120예상 2026-10-21
최소: 1
배수: 1

SDRAM - LPDDR4X 8 Gbit 16 bit 2.133 GHz FBGA-200 512 M x 16 600 mV 1.95 V - 20 C + 85 C LPDDR4x Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 16Gb 1024Mx16 2133MHz FBGA200 -40C to 85C
데이터시트
10재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - LPDDR4X 16 Gbit 16 bit 2.133 GHz FBGA-200 1 G x 16 570 mV 1.95 V - 40 C + 95 C LPDDR4x Tray
Alliance Memory DRAM LPDDR4X, 32Gb, 1G X 32, 0.6v, 200ball TFBGA, 2133MHZ,industrial Temp
데이터시트
164재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - LPDDR4X 32 Gbit 32 bit 2.133 GHz FBGA-200 1 G x 32 10 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 95 C AS4C Tray
Alliance Memory DRAM LPDDR4X, 16Gb, 512M x 32, 0.6V, 200ball TFBGA, 2133MHZ, INDUSTRIAL TEMP
데이터시트
62재고 상태
120예상 2026-11-26
최소: 1
배수: 1

SDRAM - LPDDR4X 16 Gbit 32 bit 2.133 GHz FBGA-200 512 M x 32 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 95 C AS4C Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 256Mx16 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
데이터시트
3재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - LPDDR4X 4 Gbit 16 bit 2.133 GHz FBGA-200 256 M x 16 600 mV 1.8 V - 20 C + 85 C LPDDR4x Tray
Winbond DRAM 2Gb LPDDR4X, x16, 2133MHz, Industrial Temp
데이터시트
43재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 2.133 GHz WFBGA-200 128 M x 16 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C W66BM6NB
Winbond DRAM 2Gb LPDDR4X, x16, 1600MHz, -40C 105C
데이터시트
53재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz WFBGA-200 128 M x 16 1.06 V 1.95 V - 40 C + 105 C Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 16Gb 512Mx32 2133MHz FBGA200 -40C to 85C
데이터시트
239주문 중
최소: 1
배수: 1

SDRAM - LPDDR4X 16 Gbit 32 bit 2.133 GHz FBGA-200 512 M x 32 570 mV 1.95 V - 40 C + 95 C LPDDR4x Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 24Gb 768Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - LPDDR4X 24 Gbit 32 bit 2.133 GHz FBGA-200 768 M x 32 600 mV 1.8 V - 20 C + 85 C LPDDR4x Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 256Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - LPDDR4X 8 Gbit 32 bit 2.133 GHz FBGA-200 256 M x 32 600 mV 1.8 V - 20 C + 85 C LPDDR4x Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 24Gb 768Mx32 2133MHz FBGA200 -40C to 85C
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 120
배수: 120

SDRAM - LPDDR4X 24 Gbit 32 bit 2.133 GHz FBGA-200 768 M x 32 600 mV 1.8 V - 40 C + 95 C LPDDR4x Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 512Mx16 2133MHz FBGA200 -40C to 85C
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - LPDDR4X 8 Gbit 16 bit 2.133 GHz FBGA-200 512 M x 16 600 mV 1.95 V - 40 C + 95 C LPDDR4x Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 40 주
최소: 136
배수: 136

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 40 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 40 주
최소: 136
배수: 136

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 105 C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 40 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 105 C Reel
ISSI DRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 40 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 40 주
최소: 136
배수: 136

SDRAM - LPDDR4X 16 bit 1.6 GHz BGA-200 256 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 40 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - LPDDR4X 16 bit 1.6 GHz BGA-200 256 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Reel