2400 메모리 IC

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결과: 113
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수량 RoHS 제품 유형
장착 스타일
패키지/케이스
메모리 크기
인터페이스 타입
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
데이터시트
재고 없음
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 128 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 240
배수: 240

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ADLINK Technology DDR4 2400 288P 8GB REG-DIMM
ADLINK Technology 메모리 모듈 DDR4-2400, 8GB, 1Gx72, R-DIMM 288P, 1.2V, Rank:1, CL17, ECC, OP Temp:0-85, Fix Die:Yes(C-die), Samsung Chip(1Gx8) 재고 없음
최소: 1
배수: 1
Memory Modules 8 GB
ADLINK Technology DDR4 2400 260P 16GB non-ECC SODIMM
ADLINK Technology 메모리 모듈 DDR4-2400, 16GB, 2048Mx64, SO-DIMM 260P, 1.2V, Rank:2, CL17, non-ECC, OP Temp:0-85, Fix Die:No, Samsung Chip(1024M x8*16 ) height:30mm 비재고 리드 타임 13 주
최소: 1
배수: 1
Memory Modules 16 GB
ADLINK Technology DDR4 2400 288P 16GB ECC DIMM
ADLINK Technology 메모리 모듈 DDR4-2666, 32GB, 4Gx72, SO-DIMM 260P, 1.2V, Rank:2, CL19, ECC, OP Temp:0-85, Samsung Fix Die:No, Chip(2Gx8) 재고 없음
최소: 1
배수: 1
Memory Modules 32 GB
ADLINK Technology DDR4 2400 ECC 260P 4GB
ADLINK Technology 메모리 모듈 DDR4-2400, 4GB, 512Mx72, SO-DIMM 260P, 1.2V, Rank:1, CL17, ECC, OP Temp:0 85, Fix Die:No, Samsung Chip(512Mx8) 재고 없음
최소: 1
배수: 1
Memory Modules 4 GB
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 128 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,500
배수: 1,500
릴: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,500
배수: 1,500
릴: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
데이터시트
재고 없음
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 128 Mbit
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,500
배수: 1,500
릴: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ADLINK Technology DDR4 2400 260P 16GB Non ECC SODIMM
ADLINK Technology 메모리 모듈 DDR4-2400, 16GB, 1Gx64, SO-DIMM 260P, 1.2V, Rank:2, CL17, Non-ECC, OP Temp:-40-85, Fix Die:No, Chip(1Gx8) 재고 없음
최소: 1
배수: 1
Memory Modules 16 GB
ADLINK Technology DDR4 2400 ECC 260P 16GB
ADLINK Technology 메모리 모듈 DDR4-2400, 16GB, 2Gx72, SO-DIMM 260P, 1.2V, Rank:2, CL17, ECC, OP Temp:0-85, Fix Die:No, Samsung Chip(1Gx8) 재고 없음
최소: 1
배수: 1
Memory Modules 16 GB
ADLINK Technology DDR4 2400 260P 4GB non-ECC SODIMM
ADLINK Technology 메모리 모듈 DDR4-2400, 4GB, 512x64, SO-DIMM 260P, 1.2V, Rank:1, CL17, non-ECC, OP Temp:0-85, Fix Die:No, Samsung Chip(512M x16*4 ) height:30mm 재고 없음
최소: 1
배수: 1
Memory Modules 4 GB
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 128 Mbit
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 128 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 240
배수: 240

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,500
배수: 1,500
릴: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ADLINK Technology DDR4 2400 260P 8GB SODIMM 2Rx16
ADLINK Technology 메모리 모듈 DDR4-2400, 8GB, 1Gx64, SO-DIMM 260P, 1.2V, Rank:2, CL17, Non-ECC, OP Temp:0 85, Fix Die:No, Samsung Chip(512Mx8) 재고 없음
최소: 1
배수: 1
Memory Modules 8 GB
ADLINK Technology DDR4 2400 260P 8GB NON-ECC SODIMM INDUS
ADLINK Technology 메모리 모듈 DDR4-2400, 8GB, 1024Mx64, SO-DIMM 260P, 1.2V, Rank:2, CL17, non-ECC, OP Temp:-40-85, Fix Die:No, Samsung Chip(512M x8*16 ) height:30mm 재고 없음
최소: 1
배수: 1
Memory Modules 8 GB
ISSI IS43LR32400G-6BLI-TR
ISSI DRAM 128M, 1.8V, Mobile DDR, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 128 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,500
배수: 1,500
릴: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
데이터시트
재고 없음
최소: 1,500
배수: 1,500
릴: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit