2400 메모리 IC

메모리 IC의 유형

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결과: 113
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Apacer 메모리 모듈 16GB DDR4 2400 U-DIMM 재고 없음
최소: 1
배수: 1

Memory Modules 16 GB
Apacer 메모리 모듈 8GB DDR4 2400 U-DIMM 재고 없음
최소: 1
배수: 1

Memory Modules 8 GB
Apacer 메모리 모듈 8GB DDR4 2400 U-DIMM 재고 없음
최소: 1
배수: 1

Memory Modules 8 GB
Apacer 메모리 모듈 8GB DDR4 2400 U-DIMM 재고 없음
최소: 1
배수: 1

Memory Modules 8 GB
ISSI DRAM 128M, 1.8V, Mobile SDRAM, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 8 주
최소: 240
배수: 240

DRAM SMD/SMT BGA-90
ISSI DRAM 128M, 1.8V, Mobile SDRAM, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90
ADLINK Technology DDR4 2400 8GB SO-DIMM
ADLINK Technology 메모리 모듈 DDR4-2400, 8GB, 1Gx64, SO-DIMM 260P, 1.2V, Rank:1, CL17, Non-ECC, OP Temp:0-85, Fix Die:No, Chip(1Gx8) 재고 없음
최소: 1
배수: 1
Memory Modules 8 GB
ISSI DRAM 128M, 1.8V, Mobile SDRAM, 4Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90
ISSI DRAM 128M, 3.3V, Mobile SDRAM, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 128 Mbit
ISSI DRAM 128M, 2.5V, Mobile SDRAM, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90
ADLINK Technology DDR4 2400 ECC 260P 8GB
ADLINK Technology 메모리 모듈 DDR4-2400, 8GB, 1Gx72, SO-DIMM 260P, 1.2V, Rank:2, CL17, ECC, OP Temp:0 85, Fix Die:No, Samsung Chip(512Mx8) 재고 없음
최소: 1
배수: 1
Memory Modules 8 GB
ISSI DRAM 128M, 2.5V, Mobile SDRAM, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 8 주
최소: 240
배수: 240

DRAM SMD/SMT BGA-90
ISSI DRAM 128M, 2.5V, Mobile SDRAM, 4Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90
ISSI DRAM 128M, 2.5V, DDR, 4Mx32, 250MHz at CL4, 144-ball BGA (12mmx12mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT BGA-144 128 Mbit
ADLINK Technology DDR4 2400 288P 8GB REG-DIMM
ADLINK Technology 메모리 모듈 DDR4-2400, 8GB, 1Gx72, R-DIMM 288P, 1.2V, Rank:1, CL17, ECC, OP Temp:0-85, Fix Die:Yes(C-die), Samsung Chip(1Gx8) 재고 없음
최소: 1
배수: 1
Memory Modules 8 GB
ADLINK Technology 8G SOD DDR4 2400 DDR4 SDRAM
ADLINK Technology 메모리 모듈 DDR4-2400, 8GB, 1Gx64, SO-DIMM 260P, 1.2V, Rank:2, CL17, Non-ECC, OP Temp:0-85, Fix Die:No, Chip(1Gx8) 재고 없음
최소: 1
배수: 1
Memory Modules 8 GB
ADLINK Technology DDR4 2400 260P 16GB SO-DIMM 2Rx16
ADLINK Technology 메모리 모듈 DDR4-2400, 16GB, 2Gx64, SO-DIMM 260P, 1.2V, Rank:2, CL17, Non-ECC, OP Temp:0-85, Fix Die:No, Samsung Chip(1Gx8) 재고 없음
최소: 1
배수: 1
Memory Modules 16 GB
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 128 Mbit
ISSI DRAM 128M (4Mx32) 250MHz 2.5v DDR SDRAM 재고 없음
최소: 189
배수: 189

DRAM SMD/SMT BGA-144 128 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 재고 없음
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 128 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ADLINK Technology DDR4 2400 ECC 260P 4GB
ADLINK Technology 메모리 모듈 DDR4-2400, 4GB, 512Mx72, SO-DIMM 260P, 1.2V, Rank:1, CL17, ECC, OP Temp:0 85, Fix Die:No, Samsung Chip(512Mx8) 재고 없음
최소: 1
배수: 1
Memory Modules 4 GB
ADLINK Technology DDR4 2400 ECC 260P 16GB
ADLINK Technology 메모리 모듈 DDR4-2400, 16GB, 2Gx72, SO-DIMM 260P, 1.2V, Rank:2, CL17, ECC, OP Temp:0-85, Fix Die:No, Samsung Chip(1Gx8) 재고 없음
최소: 1
배수: 1
Memory Modules 16 GB