BGA-200 DRAM

결과: 65
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Kingston DRAM 16Gb 200 ball LPDDR4 4266MHz itemp -40c to 95c 5재고 상태
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SDRAM - LPDDR4 16 GB 16 bit 2.133 GHz BGA-200 1024 M x 16 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C eMMC Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 283재고 상태
408예상 2027-08-12
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SDRAM - LPDDR4 16 bit 1.6 GHz BGA-200 256 M x 16 1.06 V 1.17 V - 40 C + 105 C Tray
Kingston DRAM 16Gb LPDDR4 4266Mbps BGA 200b SDPx32 i-Temp 4재고 상태
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SDRAM - LPDDR4 16 Gb 16 bit 2.133 GHz BGA-200 1 G x 16 1.7 V 1.95 V - 40 C + 95 C Tray
Kingston DRAM 16Gb LPDDR4x 4266Mbps BGA 200b SDPx32 i-Temp 4재고 상태
최소: 1
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최대: 100

SDRAM - LPDDR4X 16 Gb 16 bit 2.133 GHz BGA-200 1 G x 16 1.7 V 1.95 V - 40 C + 95 C Tray
Kingston DRAM 32Gb 200 ball LPDDR4 4266MH 150재고 상태
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최대: 100

SDRAM - LPDDR4 32 Gb 4266 Mb/s 1.866 GHz BGA-200 2 G x 16 3.5 ns 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C Tray
ISSI IS43LQ32640A-062BLI
ISSI DRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 64Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS 45재고 상태
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BGA-200
ISSI IS46LQ32256A-062BLA2
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
408주문 중
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SDRAM Mobile - LPDDR4 8 Gbit 32 bit 1.6 GHz BGA-200 256 M x 32 1.06 V 1.95 V - 40 C + 105 C
ISSI DRAM 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
114주문 중
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4 Gbit 1.6 GHz BGA-200 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
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SDRAM - LPDDR4 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 1.06 V 1.17 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
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SDRAM - LPDDR4 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 1.06 V 1.17 V - 40 C + 105 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
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SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
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SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
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SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 105 C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
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SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 105 C Reel
ISSI DRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
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SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
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SDRAM - LPDDR4 16 bit 1.6 GHz BGA-200 256 M x 16 1.06 V 1.17 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
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SDRAM - LPDDR4 16 bit 1.6 GHz BGA-200 256 M x 16 1.06 V 1.17 V - 40 C + 105 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
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SDRAM - LPDDR4X 16 bit 1.6 GHz BGA-200 256 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
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SDRAM - LPDDR4X 16 bit 1.6 GHz BGA-200 256 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
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SDRAM - LPDDR4X 16 bit 1.6 GHz BGA-200 256 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 105 C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
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SDRAM - LPDDR4X 16 bit 1.6 GHz BGA-200 256 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 105 C Reel
ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
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SDRAM - LPDDR4X 16 bit 1.6 GHz BGA-200 256 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
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SDRAM - LPDDR4 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 32 1.06 V 1.17 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
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SDRAM - LPDDR4 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 32 1.06 V 1.17 V - 40 C + 105 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 136
배수: 136

SDRAM - LPDDR4X 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 32 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Tray